Observation of the electronic states of adsorbed molecules on MoS2-based FET by monochromatic light
单色光观察 MoS2 基 FET 上吸附分子的电子态
基本信息
- 批准号:22H01886
- 负责人:
- 金额:$ 11.32万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2022
- 资助国家:日本
- 起止时间:2022-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
単層でもバンドギャップを有する遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は、究極の薄さをもった半導体デバイスとして無限の可能性を秘めている。数ある応用分野の中でもFET(電界効果トランジスタ)のチャンネル部分として利用すると、表面/体積比が非常に大きいために表面への分子の吸着が原子層自体の性質に大きく影響するので、非常に感度の高いセンサーとしての利用が期待され、これまでに窒素酸化物、揮発性有機化合物、イオウ酸化物など、多くの分子に対するセンシングの報告がなされてきた。そして、分子がTMDC表面に吸着することによって電気信号(電流)が変化し、分子検出感度も高いことがわかってきた。そこで、新たに、単色化した光を照射したときに観測される光応答電流を測定することを目指して実験を行なった。分子吸着によってTMDCチャンネルに流れるドレイン電流(Id)が変化することが観測される。しかし、その変化からは、分子吸着によってIdが増加すればそれは分子がTMDCに対してドナーとしての性質を持つ、Idが減少すればアクセプターとしての性質を持つ、ことがわかるのだが、分子種の特定は難しい。そこで、分子を吸着させたTMDC-FET表面に光を照射したときに検出されるドレイン電流の増加(ΔIphoto)を測定することによって分子を特定する。このΔIphotoを検出するためには、照射した光によって励起されて生成した正孔もしくは電子がチャンネルの価電子帯、もしくは伝導帯に流れ込む必要がある。そのため、チャンネルのバンドギャップが狭いことが必要となってくる。現在のところ、TMDCの中でも非常に大気中で安定であることが知られている二流化モリブデン(MoS2)を用いて実験を行なってきたが、さらにバンドギャップが狭いことが知られている二セリウム化タングステン(WSe2)をチャンネル部分として用いた試料を作成を試みた。
Single layer, single layer Number of FET's The surface/volume ratio is very high. The adsorption properties of the molecules on the surface are affected greatly. The surface sensitivity is very high. The utilization is expected to be high. A number of molecular reports were prepared. The electric signal (current) of the molecule is changed, and the sensitivity of the molecule is increased. The light source is a new light source. Molecular sorption: TMDC current generation: current generation For example, if the molecular adsorption Id increases, the molecular adsorption Id decreases, and the molecular adsorption Id increases, the molecular adsorption Id decreases, and the molecular adsorption Id decreases. TMDC-FET surface light irradiation, current increase (ΔIphoto) measurement, molecular adsorption, molecular adsorption This photo is generated by irradiation of light and excitation of electrons. It is necessary to have a good time. Now, in the middle of TMDC, there is a great deal of stability in the middle of TMDC. In the middle of TMDC, there is a great deal of stability in TMDC. In the middle of
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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