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Precise Control of Ge Nanosheet Channel Structure and Investigation of Carrier Transport through vdW Contacts

Precise Control of Ge Nanosheet Channel Structure and Investigation of Carrier Transport through vdW Contacts
Ge纳米片通道结构的精确控制和通过vdW接触的载流子传输研究
批准号：
23H01474
负责人：
張 文馨
金额：
$12.06万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23H01474/
关键词：
GeSb2Te3Bi2Te3vdW接合GeOI (111)

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Geナノシートチャネルの精密構造制御及びvdWコンタクトにおけるキャリア輸送解明
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Sb2Te3功能材料层间变形的成键和缺陷演化机制研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
  • 依托单位：
    湖北大学
多尺度调控Sb2Te3基材料的热电输运性能的研究
  • 批准号：
    11704289
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    郑文文
  • 依托单位：
    武汉工程大学
Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3纳米膜的电声输运机制及热电性能的调控研究
  • 批准号：
    11764009
  • 项目类别：
    地区科学基金项目
  • 资助金额：
    45.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    周刚
  • 依托单位：
    桂林电子科技大学
三维拓扑绝缘体Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3体系压力诱导结构相变的高压X射线吸收谱研究