極限光デバイスの基礎

极限光学器件的基础知识

基本信息

  • 批准号:
    04228102
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 59.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1993 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.超高速光エレクトロニクスのデバイス基礎として、神谷は半導体レーザからの超短パルス発生およびソリトン効果圧縮により、フーリエ変換極限に近い0.6ピコ秒パルス発生に成功し、また光トリガ方式高速OEICの設計を行った。小林(哲郎)はタンタル酸リチウム変調器を16GHzで大振幅変調する事によって1.85THzという世界最大のサイドバンド幅を得た。大津は波長0.3-1.6ミクロンの範囲にわたり半導体レーザの周波数変換を用いて光周波数グリッドを発生させた。またモノリシック周波数コム発生器を試作し6THz帯域幅を得た。佐々木(豊)は光ファイバの高性能化のために偏波保持ファイバの低クロストーク化、構造不完全性による損失の解析、および非線形光学応用のため超微粒子ドープガラスの色中心生成機構測定を行った。2.非線形光学デバイスの基礎として伊藤(弘昌)は電子ビーム加工により形成した周期ドメイン反転をもつ非線形光学結晶で疑似位相整合を実現し、その有効性、再現性を確認した。丹野は非線形光学効果に基づく高速機能デバイスについて検討資、半導体レーザの偏波スイッチング特性を明らかにすると共に高分解リフレクトメトリに適用して分解能50ミクロンを得た。佐々木(敬介)はポールドポリマ導波路からの青色SHG、新規非線形有機結晶FMAの基礎評価、プラスチック光ファイバ増幅器の高出力動作に成功した。小笠原は異種半導体薄膜の積層によって2つの位相整合を両立させる面発光型波長変換素子を提案した。3.超並列光エレクトロニクスの基礎として梅野はシリコン基板上にGaAs系量子井戸面発光レーザを試作し、しきい値4.9kA/cm^2で室温パルス発振するという良好な結果を得た。これらを2次元アレイ化すれば超並列光電子集積回路の実現が見込める。
1. Ultra-high-speed optical fiber transmission technology is based on the design of semiconductor ultra-short transmission technology, and the design of high-speed OEIC is based on the design of semiconductor ultra-short transmission technology. Kobayashi's 16GHz, large-amplitude modulator achieves the world's largest amplitude modulation. Ozu wavelength 0.3-1.6 wavelength range for semiconductor frequency conversion for optical frequency conversion Try to get the 6THz band amplitude from the frequency generator. Analysis of loss due to structural imperfections and determination of color center generation mechanism for ultra-fine particles used in nonlinear optical systems. 2. The foundation of nonlinear optical crystals is confirmed to be effective and reproducible. Danno is a non-linear optical effect based on high-speed features, semiconductor polarization characteristics, and high-resolution applications. The basic evaluation of the new nonlinear organic crystal FMA and the high output operation of the amplifier were successful. Ogasawara proposed a new method for phase alignment of heterogeneous semiconductor thin films 3. A GaAs quantum well on a substrate was tested for light emission at 4.9kA/cm^2 and good results were obtained. The realization of two-dimensional photoelectron integration circuits

项目成果

期刊论文数量(38)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
A.Morimoto,E.Saruwatari,T.Kobayashi: "Quasi Velocity Matched Electrooptic Phase Modulator with Domain Inversion for Deep Microwave Modulation" CLEO'94 Tech.Digest. CME5(To be published). (1994)
A.Morimoto、E.Saruwatari、T.Kobayashi:“用于深度微波调制的具有域反转的准速度匹配电光相位调制器”CLEO94 Tech.Digest。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Egawa,T.Jimbo,M.Umeo: "Optoelectronic Integrated Circuits Grown on Si Substrates" IEICE Trans.Electron.E76-C. 106-111 (1993)
T.Ekawa、T.Jimbo、M.Umeo:“在硅衬底上生长的光电集成电路”IEICE Trans.Electron.E76-C。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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佐佐木圭介:《光电百科全书‘有机非线性光学材料’》工业研究会,8(1992)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Kourogi,K.Nakagawa,M.Ohtsu: "Wide-Span Optical Frequency Comb Generation for Accurate Optical Frequency Difference Measurement" IEEE Journal of Quantum Electronics. 29. 2693-2701 (1993)
M.Kourogi、K.Nakakawa、M.Ohtsu:“用于精确光频差测量的宽跨度光频梳生成”IEEE 量子电子杂志。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Sasaki: "Poled polymers for device applications" J.Photopolymer Sci.&Tech.6. 221-228 (1993)
K.Sasaki:“用于设备应用的极化聚合物”J.Photopolymer Sci。
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    0
  • 作者:
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知道了