高温超伝導体における量子磁束格子の電磁物性定数の評価

1.高温超伝導体における非可逆曲線比較的弱くピン止めされた量子化磁束の熱揺動によるデピンニング曲線の表式をラブシュ方程式から出発して導いた。さらに、この曲線は、非可逆曲線やフラックスメルティング曲線と呼ばれている測定曲線からは、フラックスクリープの影響を補正してえられる上限曲線であることを明らかにした。この曲線は強いピンを導入すれば、オーダパラメータの大きさ又は位相のオーダリングが生じる遷移領域内にまでシフトすることも明らかにした。現在、定量的比較を行うための実測結果を蓄積中である。2.YBCO膜における磁場侵入長と臨界電流密度ミアンダ状に加工したc軸配向YBCOスパッタ薄膜線路のカイネティックインダクタンスを共鳴法で測定することによって磁場侵入長(λ)の測定を行った。(1)実験的に得られたλ(T)の温度依存性は局所的BCS理論による結果とよい一致を示した。(2)実験的に得られたλ(O)とρ及びT_cの関係式も局所的理論結果とよい一致を示した。(3)バイアス電流を増すと、ある電流密度j^*_c(T)でλが急激に増大し始めたが、これはマイスナー状態から混合状態に入ったことを示す。j^*_c(4.2K)=4.5×10^<11>A/m^2及びj^*_c(T)のT依存性は対破壊電流密度j_<pb>(T)〜H_c/λとよい一致を示した。このことは、薄膜において観測されるテープ材より高い臨界電流密戸には対破壊電流が大きく寄与していることを示している。このことはまた、薄膜表面が強い表面ピンとして働くことをも意味している。現在、この表面ピンの磁界・温度特性について理論・実験の両面から研究中である。

1.高温超伝導体における非可逆曲線比較的弱くピン止めされた量子化磁束の熱揺動によるデピンニング曲線の表式をラブシュ方程式から出発して導いた。さらに、この曲線は、非可逆曲線やフラックスメルティング曲線と呼ばれている測定曲線からは、フラックスクリープの影響を補正してえられる上限曲線であることを明らかにした。この曲線は強いピンを導入すれば、オーダパラメータの大きさ又は位相のオーダリングが生じる遷移領域内にまでシフトすることも明らかにした。現在、定量的比較を行うための実測結果を蓄積中である。2.YBCO膜における磁場侵入長と臨界電流密度ミアンダ状に加工したc軸配向YBCOスパッタ薄膜線路のカイネティックインダクタンスを共鳴法で測定することによって磁場侵入長(λ)の測定を行った。(1)実験的に得られたλ(T)の温度依存性は局所的BCS理論による結果とよい一致を示した。(2)実験的に得られたλ(O)とρ及びT_cの関係式も局所的理論結果とよい一致を示した。(3)バイアス電流を増すと、ある電流密度j^*_c(T)でλが急激に増大し始めたが、これはマイスナー状態から混合状態に入ったことを示す。j^*_c(4.2K)=4.5×10^<11>A/m^2及びj^*_c(T)のT依存性は対破壊電流密度j_<pb>(T)〜H_c/λとよい一致を示した。このことは、薄膜において観測されるテープ材より高い臨界電流密戸には対破壊電流が大きく寄与していることを示している。このことはまた、薄膜表面が強い表面ピンとして働くことをも意味している。現在、この表面ピンの磁界・温度特性について理論・実験の両面から研究中である。