EELSによる表面修飾と不活性小分子の活性化
EELSによる表面修飾と不活性小分子の活性化
批准号:
04241219
负责人:
西嶋 光昭
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1992
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1992 至 --
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固個触媒反応素過程の解明には単結晶清浄表面を研究の出発点とする表面科学的アプローチが有力である。本研究では現有の高分解能EELSを中心とする表面解析装置を改良し、構造,組成,電子状態のよく規定された遷移金属単結晶清浄表面〔Pd(110)など〕における表面修飾と不活性小分子の活性化との相関を解明した。修飾面としては清浄面をアルカリ金属(Csなど)を用いて得られる吸着粒子誘起表面超格子を主な対象とした。具体的研究実績を以下に列挙する。1.現有のEELS装置を改良し、実用エネルギー分解能△E=5mーVでS/N比のよい振動スペクトルを収集できるようにした。2.紫外光をエネルギー源として、修飾表面を効率よく活性化させるため、光源装置系を試作した。3.現有のEELS装置の試料処理室に金属蒸着機構を付加した。4.Pd(110)(1×2)ーCs表面におけるベンゼンの表面反応の研究を実施した。Pd(110)清浄表面での研究結果と比較すると、Cs修飾によりベンゼンーPd間結合は弱まるが、それにもかかわらずベンゼンの熱分解反応は促進されていることがわかる。特に、清浄表面では分解せずに安定に吸着する室温(300K)において、ベンゼンの分解反応が観測されている点は注目される。Cs修飾によりPd表面が“electronーrich"になっているため、ベンゼンからPdへの大電子供与は抑制されベンゼンーPd間結合は弱まると考えられる。一方、Pdからベンゼンへのπ電子逆供与は促進され、Pd表面から流れ込んだ電子は、ベンゼンの(CC結合に対して反結合性を持つ)1e_<2u>軌道を占めるため、CC切断過程が促進される。
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M.Fujisawa: "Adsorption and chemal decomposition of C_6H_6 on Pd(110)(1X2)-Cs:EELS,TDS and LEED" J.Phys.Chem.96. 4602-4608 (1992)
M.Fujisawa:“C_6H_6 在 Pd(110)(1X2)-Cs:EELS、TDS 和 LEED 上的吸附和化学分解”J.Phys.Chem.96。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Sekitani: "Interaction of C_2H_4 with H-preadsnbed Pd(110):hydrogenation and H-D exchenge" J.Phys.Chem.96. 8462-8468 (1992)
T.Sekitani:“C_2H_4 与 H-预埋床 Pd(110) 的相互作用:氢化和 H-D 交换”J.Phys.Chem.96。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Nishijima: "Interaction of C_2H_4 with H-covered Pd(110)" J.Molecular Catalysis. 74. 163-167 (1992)
M.Nishijima:“C_2H_4 与 H 覆盖的 Pd(110) 的相互作用”J.分子催化。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
N.Takagi: "Electron scettering from K-exposed Si(100)(2X1)-H" Phys.Rev.B. 45. 13524-13530 (1992)
N.Takagi:“来自 K 暴露的 Si(100)(2X1)-H 的电子散射”Phys.Rev.B。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
ダイヤモンド単結晶表面上における新奇な有機化合物ナノ構造の創製と物性
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批准号:14655017
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2002
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负责人:西嶋 光昭
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依托单位:
分子凝集体表面の動的振る舞い
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批准号:12128204
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$12.67万
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财政年份:2000
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负责人:西嶋 光昭
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依托单位:
遷移金属表面上における水素原子の量子的非局在化
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批准号:10120217
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1998
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负责人:西嶋 光昭
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依托单位:
半導体表面に化学吸着した原子・分子による電子の共鳴散乱
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批准号:10875005
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1998
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负责人:西嶋 光昭
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依托单位:
EELSによる表面修飾と不活性小分子の活性化
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批准号:05225219
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1993
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负责人:西嶋 光昭
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依托单位:
EELSによる表面修飾と不活性小分子の活性化
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批准号:06217209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1992
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负责人:西嶋 光昭
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依托单位:
高分解能電子エネルギー損失分光による固体触媒反応素過程の研究
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批准号:58470004
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.42万
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财政年份:1983
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负责人:西嶋 光昭
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依托单位:
高分解能電子分光による固体触媒反応素過程の研究
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批准号:X00080----347006
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.5万
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财政年份:1978
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负责人:西嶋 光昭
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依托单位: