メゾスコピック系における量子輸送現象と電子相関

介观系统中的量子输运现象和电子关联

基本信息

  • 批准号:
    05215202
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.7万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1993 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

最近実験できるようになった半導体量子ドットの輸送現象について、電子相関がどのような効果をもたらすかを明らかにするため数値計算を併用した理論研究を行なった。特にここではGaAsとAlGaAsよりなる二重障壁構造を微細加工することによって得られる量子ドットを取り上げた。障壁に挾まれた円形の量子ドットにおいてポテンシャルは放物線型に近似することができ1電子状態は離散的な準位に分かれる。この2次元放物線型ポテンシャルにおける準位は軌道縮重をもち、電子相関が重要になると考えられる。計算の作業は大きく二つの部分からなる。まず第一は孤立した量子ドットの電子状態をハミルトニアンの厳密対角化の方法を用いて厳密に求めることであり、第二は量子ドットを通しての電流電圧特性をマスター方程式を解いて計算することである。特にここでは放物線型ポテンシャルの準位間隔が電子間のクーロン相互作用に比べて十分大きい場合を考え、各準位ごとに多体の状態を解いた。これまでに得られた計算結果より、電子相関による微細構造が電流電圧特性に現われることが見いだされ、電子数が少ない場合の特徴が明らかになりつつある。電子数が多い場合は従来のように帯電効果を取り入れた1電子描像が正しいと考えられるので、今後の研究の方向としてこの両極限の間での振る舞いについての研究が重要であると考えられる。また、強磁場中2次元系における電子相関の効果をふたつのランダウ準位が縮重する新しい状況について研究し、電化対形成の可能性を示した。この系をドットの形状にした場合の輸送現象の計算も今後の課題として考えている。
Recently, the semiconductor quantum transport phenomenon, electron-related transport phenomenon, and electron related transport phenomenon have recently been introducedようなeffectをもたらすかを明らかにするためnumerical calculationをand useしたtheoretical researchを行なった. Special にここではGaAsとAlGaAsよりなるDouble barrier structure をMicro processing することによって got られるQuantum ドットをtake り上げた. Barrier に抟まれた円shaped のquantum ドットにおいてポテンシャルはrelease line The type is approximate and the electronic state is discrete and the level is divided into two parts.この2-dimensional linear type ポテンシャルにおける orbital shrinkage をもち, electronic related important になるとtest えられる. Calculation of homework is a big part of the calculation.まずFirstはisolationしたquantumドットのelectronicstateをハミルトニアンの厳対 Cornificationのmethodを用いて厳米にquestめることであり、The second quantum ドットを通してのcurrent electric pressure characteristic をマスターequation をsolved いてcalculation することである. Specially placed linear type ポテンシャルの level interval がelectrons のクーロン mutual The effect is much greater than that of the situation, and the situation of each level is the solution of the multi-body state. The results of the calculations of the これまでにられたより, the electron-related によるmicrostructure and the current and electric pressure characteristics are shownわれることが见いだされ、Electron number が小ないoccasion の特徴が明らかになりつつある. When the number of electrons is too much, the electric effect will be reduced when the number of electrons is too high. The direction of future research is that the limit of the limit is the most important thing.また、The 2-dimensional system におけるelectron-related effects in strong magnetic fields are accurate The new situation of the bit shrinkage and weight is studied, and the possibility of electrochemical formation is shown. Calculation of conveying phenomena in situations and situations, and calculation of transportation phenomena in the future are subject to be solved.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Akera: "Bound Electron Pairs in Two Dimensions at Quantizing Magnetic Fields" Physica B. (発表予定).
H.Akera:“量子化磁场中的二维束缚电子对”Physica B.(待提交)。
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