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構造敏感性をもつ半導体薄膜の歪分布マルチスケール可視化新手法の開発
开发结构敏感半导体薄膜中应变分布多尺度可视化的新方法
基本信息
- 批准号：23K04599
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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山中 淳二其他文献
NBD 回折円盤からの SiGe 面間隔測定における収束レンズ条件の影響
会聚透镜条件对 NBD 衍射盘 SiGe 面间距测量的影响
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
古屋 丞司;有元 圭介;小國 琢弥;原 康祐;山中 淳二 - 通讯作者：
山中 淳二
歪みSi/緩和 SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETの高正孔移動度化とリーク電流の低減
应变 Si/松弛 SiGe/Si(110) 异质结构 p-MOSFET 中空穴迁移率增加并减少漏电流
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
藤澤 泰輔;各川 敦史;堀内 未希;坂田 千尋;山中 淳二;原 康祐;澤野 憲太郎;中川 清和;有元 圭介 - 通讯作者：
有元 圭介
真空蒸着でのBaSi2成膜における基板加熱条件の影響
衬底加热条件对真空蒸镀BaSi2薄膜形成的影响
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
矢澤 大典;原 康祐;山中 淳二;有元 圭介 - 通讯作者：
有元 圭介
単一原料の蒸着によるa-Si/BaSi2積層構造の作製
单一原料气相沉积制备a-Si/BaSi2叠层结构
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
原 康祐;Trinh Cham Thi;黒川 康良;有元 圭介;山中 淳二;中川 清和;宇佐美 徳隆 - 通讯作者：
宇佐美 徳隆
近接蒸着法によるCaSi2とCaGe2の成膜
邻近蒸发法沉积 CaSi2 和 CaGe2
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
原 康祐;瀧澤 周平;山中 淳二;黒澤 昌志;有元 圭介 - 通讯作者：
有元 圭介
山中 淳二的其他文献
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