ニュートリノ質量測定と高位置分解能solid state beta線検出器の開発

中微子质量测量和高位置分辨率固态β射线探测器的研制

• 批准号: 01629002
• 负责人: 川上 宏金
• 金额: $ 3.2万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1989
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1989 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-01629002/
• 关键词: ニュートリノ; 質量; トリチウム; ベータ崩壊; マルチストリップ; Si検出器; 二次元読み出し

今年度は、昨年度後半に行った実験データの解析と、来年度予定している次回実験のための半導体検出器の具体案の検討を行っている。データ解析は、位置検出器で使った7本の抵抗芯線の内、6本のデータ(1本は全計数が極端に低い)を別々に解析している。それは、空芯β線分析器の焦点面上では、芯線の位置によって収束イメージがズレているからである。測定は1500eV領域を7つに分割して行ったので、それぞれについて検出効率、加速による立体角補正、不感時間補正等を行い、測定時間で規格化して1本のスペクトルにした。応答関数は、^<109>CdのKLLオージェ線のKL_2L_3線の測定スペクトルを自然幅、シェイクアップ、オフの成分を補正して求めた。これを使って、X^2検定法によりニュートリノ質量を求める段階に来ているが、1.2回のデータと今回のデータは収集方法が違うため、これ迄使ってきた解析プログラムを一部修正して使う必要がある。終状態スペクトルは、これ迄の計算をさらに高次の項まで考慮した計算結果が近々得られるので、それを使う予定である。いづれにしても、この1ー2ケ月以内に最終結論を出す予定である。半導体検出器について検討してきたことは、以下の点である。3回目の実験で使った位置感応型比例計数管の位置分解能が1.3mmと予想より悪かったので、次回は0.3mm以下の高位置分解能を有するSi半導体検出器の開発を考えている。そのために、0.2mm厚のSiの基板の両面にXとY方向の二次元のMulti-Strip電極をIC加工法で加工する。この両面から信号をとり出して同時計測を行うことにより、低雑音の二次元検出が可能となる。これにより焦点面上でのイメージのズレのオフラインでの補正が可能となり、高分解能が得られる。従って、これが完成すれば終状態スペクトルに関係なく、ニュートリノ質量が求められると期待される。

Our は, yesterday after a year and a half line に っ た be 験 デ ー タ の analytical と, annual to designated し て い る times back to be 験 の た め の semiconductor 検 extractor の specific case の 検 line for を っ て い る. Analytical は デ ー タ, location 検 extractor で make っ た 7 this の resistance within the core の, 6 this の デ ー タ (1 this whole count が extreme に は い) を don't 々 に parsing し て い る. Youdaoplaceholder0 それ, the focus plane of the hollow core β -line analyzer <s:1> で, the position of the core wire <e:1> によって bundle で メ ジがズレて ジがズレて る る る らである らである. Determination of は を 7 1500 ev field つ に segmentation し て line っ た の で, そ れ ぞ れ に つ い て 検 working rate, accelerate に よ る solid Angle correction, no time corrected line を い, で test time normalized し て this の ス ペ ク ト ル に し た. 応 answer masato は, ^ < 109 > Cd の KLL オ ー ジ ェ line の KL_2L_3 line の determination ス ペ ク ト ル を natural picture, シ ェ イ ク ア ッ プ, オ フ の composition を corrected し て o め た. こ れ を make っ て, X ^ 2 検 method に よ り ニ ュ ー ト リ quality ノ を め る Duan Jie に to て い る が, 1.2 back の デ ー タ と today back の デ ー タ は が violations う 収 sets た め, こ れ effect make っ て き た parsing プ ロ グ ラ ム を a fixed し て make う necessary が あ る. Final state ス ペ ク ト ル は, こ れ effect の computing を さ ら に high order item の ま で consider し た computing results ら が nearly 々 れ る の で, そ れ を make う designated で あ る. Youdaoplaceholder0 づれに て て, <s:1> て 1 ケ 2ケ months within に the final conclusion を the す is determined である. Semiconductor 検 output に 検 て検 て検 て検 て検 と て た た と と と である, the following <s:1> points である. 3 pa2 の be 験 で make っ た positional sense 応 type proportional counter tube の position can decompose が 1.3 mm と to think よ り 悪 か っ た の は で, time back below 0.3 mm の high position can decompose を す る Si semiconductor 検 extractor の open 発 を exam え て い る. そ の た め に, 0.2 mm thick の Si の substrate の struck surface に と X Y direction の secondary yuan の Multi - を IC Strip electrode machining method で す る. こ の struck surface か ら signal を と り out し て simultaneously measuring line を う こ と に よ り, low 雑 の secondary yuan 検 out が may と な る. こ れ に よ り focus on で の イ メ ー ジ の ズ レ の オ フ ラ イ ン で の corrected が may と な り, high decomposition can が ら れ る. 従 っ て, こ れ が complete す れ ば end state ス ペ ク ト ル に masato is な く, ニ ュ ー ト リ quality ノ が め ら れ る と expect さ れ る.

项目成果

H.Kawakami他: "Third Measurement of Electron Anti-Neutrino Mass at INS'" Proceeding of the Yamada Conference XXIII on"NUCLER WEAK PROCESS and NUCLEAR STRUCTURE"OSAKA,Japan,June12-15,1989. 202-208 (1989)

H. Kawakami 等人：“INS 的电子反中微子质量的第三次测量”山田会议 XXIII 关于“核弱过程和核结构”的会议记录，日本大阪，1989 年 6 月 12 日至 15 日，202-208 年（1989 年）。 ）