高位置分解能半導体β線検出器の開発とニュ-トリノ質量の測定

高位置分辨率半导体β射线探测器研制及中微子质量测量

• 批准号: 02211102
• 负责人: 川上 宏金
• 金额: $ 5.5万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02211102/
• 关键词: ニュ-トリノ; 質量; トリチウム; ベ-タ崩壊; Si検出器

今年度は、まず前回収集したデ-タの解析を完了させた。このデ-タは1,2回と違って検出器として位置感応型を使用した初めてのものであり、エンドポイントエネルギ-から下100eV迄の、いわゆる質量感度領域の真の統計は150Kイベントに達した。解析にあたってその位置検出器の検出効率の位置依存性を補正する必要があったので、そのためのデ-タである ^<109>Cd線源のKLLオ-ジェスペクトル, ^3Hに非等価ポテンシャルを印加せずに測定したβスペクトル等の解析結果を参考にして、最終的には、検出効率の位置依存性のパラメ-タもX^2検定の自由パラメ-タの一部とした。その結果解析の自由パラメ-タである規格化定数,エンドポイントエネルギ-,形状因子,バックグラウンド,ニュ-トリノ質量,検出効率の補正パラメ-タの8個に対してX^2検定を行い、Mv^2=ー65±85(eV)^2を得た。この統計誤差(±85)の他に、使用した応答関数の評価誤差と、今回初めて終状態スペクトルの計算誤差も考慮した系統的誤差として±65(eV)^2も含めて、最終的にニュ-トリノ質量の上限値として13eVを得た。この値はソ連の最近の結果17〜40eVとまったく一致せず、チュ-リッヒの<18eV,ロスアラモスの<26eVのどの値よりも低い結果である。これをソ連,チェコでの国際会議で発表すると共に、Physics Letters誌に投稿し受理された。半導体検出器の開発については、今その性能テストを実行中である。今のところ検出器本体は目途がついたので、前置増幅器をより低雑音化し、信号対雑音比のよい検出器を完成させ、近いうちに高位置分解能半導体検出器を利用したニュ-トリノ質量測定実験を行う予定である。

This year's annual review is complete. 100eV to date, 150K to date, 100eV to date. The <109>analysis results of the detection efficiency of the position detector are referenced and the final results of the detection efficiency are corrected according to the position dependence of the detection efficiency. The results of the analysis of the free range of the normalized fixed number, the range of the shape factor, the range of the quality, the detection rate of the correction of the range of eight parameters, Mv^2=-65 ±85(eV)^2 is determined. The statistical error (±85) of the other, the use of the relevant number of evaluation error, the current initial, the final state of the selection of the calculation error to consider the system error (±65(eV)^2), including the final, the quality of the upper limit of 13eV. The most recent results for this range are 17 ~ 40eV,&lt;18eV,&lt;26eV, and low results. The International Conference on Science and Technology was held in Beijing from 10 to 20 June 2010. Semiconductor detector development, current performance and implementation The current detector body has a low noise level, a pre-amplifier, a signal to noise ratio, and a high resolution energy semiconductor detector.

项目成果

H.KAWAKAMI 他: "New Upper Bound on Electron AntiーNeutrino Mass" Physics Letters B. (1991)

H. KAWAKAMI 等人：“电子反中微子质量的新上限”Physics Letters B. (1991)