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結晶成長の原子レベル制御

晶体生长的原子水平控制

基本信息

批准号：
02204001
负责人：
更家淳司
金额：
$ 10.11万
依托单位：
Kyoto Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02204001/
关键词：
ワイドギャップ材料 OMーVPE法 MBE法 ZnSe AlN アルキルひ素・燐 GaP ALE法

项目摘要

本研究では,具体的なワイドギャップ材料として,AlN,AlGaInP,及びZnSe,ZnSSeをとり上げた。各分担者は,各々が開発してきた化学気相成長法(CVD法)や分子線エピタキシヤル法(MBE法)を用いて,「結晶成長の原子レベル制御」を共通の〓としてこれらの新機能材料の結晶成長法の確立を目指した。以下に各分担者の実績をまとめる。更家(京都工繊大)は,ZnSeの光照射MBEにおいて,物理吸着及び化学吸着表面原子の熱脱離が光によって促進されること,この過程が成長プロセスに影響を与え,150℃という低温でエピタキシヤル成長が可能となることを見出した。またRHGEDによって,化学吸着したSeの脱離が光によって促進されることをin situに確認した。松本(山梨大)は,ZnSeのALE成長の基礎的実験を行ない,基板温度200〜300℃で0.5モノレイラ/周期で自己停止する成長を得た。nーZnSe/nーGaAs界面をCーV法で評価し,界面電荷密度が10^<11>/cm^2程度の良好なヘテロ界面が形成されていることを確認した。ZnSe/GaAsをCL法で評価して,コヒ-レント成長崩れるとZnSeの深い準位発光が発生することを見出した。坪内(東北大)は,彼らが提案したガスビ-ムフロ-型反応管を用い,TMAとNH_3を原料としてサファイア基板上にAlNのエピタキシヤル成長を行った。5〜50Torrの広い圧力範囲で層流状態が実現できていることを明らかにし,また690℃という低温で,良好な圧電性を有するAlNのエピタキシヤル成長に成功した。野田(京大)はアルキルひ素・燐を用いたOMVPEにおいて,触媒を用いた成長層中の炭素汚染低減について検討を進めた。その結果,減圧成長に触媒を導入することにより活性水素の伝播距離が増大し,GaAs成長に対しほぼ基板金面で大きな汚染低減効果が得られた。またGaP成長に対しても,触媒導入による炭素汚染効果が得られることを示した。

In this study, specific information on the materials, AlN,AlGaInP, and ZnSe,ZnSSe materials was reviewed. For each contributor, the chemical phase growth method (CVD method) and the molecular line phase growth method (MBE method) are used, and the crystal growth method is used to control the structure of new mechanical materials. The following "contributors" do not know what to do. Gengjia (Kyoto Polytechnic University), ZnSe photoluminescence irradiates MBE radiation, physical absorption and chemisorption surface atoms are separated from phosphor to promote the growth of photoluminescence, the growth process has a significant effect on temperature, temperature, temperature and temperature. Chemical RHGED, chemical absorption, Se separation, photoluminescence promotion, in situ confirmation. Matsumoto (Yamanashi), ZnSe ALE growth substrate temperature of 200,300 ℃ and 0.5 ℃