エキシマレ-ザによる酸化物高温超伝導薄膜の低温作製と評価
エキシマレ-ザによる酸化物高温超伝導薄膜の低温作製と評価
批准号:
02227101
负责人:
清水 立生
金额:
$1.92万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
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英文摘要
我々はエキシマレ-ザを用いたレ-ザアブレ-ション法において、基礎的な推積機構を明らかにすると共に、種々の活性化法を用い良好な酸化物高温超伝導薄膜を作製することを、主な目的として掲げてきた。今年度は、第1のテ-マとして、その薄膜成長表面への第2パルスレ-ザ照射効果を中心に、主に薄膜の温度過渡応答のレ-ザ波長、パルス幅依存性を数値計算により調べ、最高照射条件を行った。また実際に、エキシマレ-ザの替わりにYAGレ-ザを用いて、照射実験を行った。一方第2のテ-マとして、本推積法の基礎過程と密接な関連を有するものと考えられる液滴状粒子の生成とレ-ザエネルギ-密度との関連を調べた。本年度の研究成果として以下の事項があげられる。1.薄膜成長表面上への第2パルスレ-ザ照射効果(1)成長薄膜表面においてレ-ザ照射による温度分布の過渡応答を数値計算し、照射に用いるパルスレ-ザの波長およびパルス幅を最適化する必要のあることを示した。(2)薄膜成長表面へのYAGレ-ザ照射(波長266nm)により、膜表面平滑性及び超伝導特性を改善できることを示した。当該波長では酸素の解離はあまり期待されず、超伝導特性の改善はその他の推積粒子の電子励起や成長表面の温度上昇によるものと思われる。2.レ-ザアブレ-ション時のレ-ザエネルギ-密度を最適化する事により、基板上での液滴状粒子の生成を抑制することができた。
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专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
A.Moto,A.Morimoto,M.Kumeda and T.Shimizu: "ESR and Raman Studies on MnーSubstituted BaーYーCuーO" Supercond.Sci.Technol.3. 579-582 (1990)
A.Moto、A.Morimoto、M.Kumeda 和 T.Shimizu:“Mn-取代 BaY-Cu-O 的 ESR 和拉曼研究”Supercond.Sci.Technol.3(1990)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Shimizu and A.Morimoto: "Preparation of BaーYーCuーO Films by Laser Ablation(Invited)" Int.J.Appl.Electromagnetics in Materials. 1. 91-97 (1990)
T.Shimizu 和 A.Morimoto:“通过激光烧蚀制备 BaYーCuーO 薄膜(特邀)”Int.J.Appl.Electromagics in Materials 1. 91-97 (1990)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
A.Moto,A.Morimoto and T.Shimizu: "Chemical and Structural Investigations on the BiーBased Oxide Superconductors" Mol.Cryst.Liq.Cryst.184. 285-289 (1990)
A.Moto、A.Morimoto 和 T.Shimizu:“双基氧化物超导体的化学和结构研究”Mol.Cryst.Liq.Cryst.184(1990)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
レ-ザアブレ-ションによる酸化物高温超伝導薄膜の低温作製と評価
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批准号:03211213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1991
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负责人:清水 立生
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依托单位:
エキシマレーザによる酸化物高温超伝導薄膜の低温作製と評価
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批准号:01645001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1989
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负责人:清水 立生
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依托单位:
シリコン系アモルファス半導体における水素やフッ素の入り方と欠陥
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批准号:59540176
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1984
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负责人:清水 立生
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依托单位:
多元系アモルファス半導体の物性定数とその組成制御
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批准号:57104007
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.22万
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财政年份:1982
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负责人:清水 立生
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依托单位:
カルコゲナイド系アモルファス半導体の物性定数とその組成制御
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批准号:56211025
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.33万
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财政年份:1981
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负责人:清水 立生
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依托单位:
カルコゲナイド系アモルファス半導体の物性定数とその組成制御
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批准号:X00040----521527
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.07万
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财政年份:1980
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负责人:清水 立生
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依托单位:
非晶質半導体に対する不純物効果の研究
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批准号:X00080----446051
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.44万
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财政年份:1979
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负责人:清水 立生
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依托单位:
非晶質半導体の不純物制御
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批准号:X00090----355009
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1978
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负责人:清水 立生
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依托单位:
カルゴゲナイド非晶質半導体薄膜の構造変化
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批准号:X00090----255005
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1977
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负责人:清水 立生
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依托单位:
磁性非晶質半導体の物性とその応用
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批准号:X00090----055115
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1975
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负责人:清水 立生
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依托单位:
半導体の不純物電子状態の理論的研究
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批准号:X41440----403052
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项目类别:Particular Research
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资助金额:$0.07万
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财政年份:1966
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负责人:清水 立生
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依托单位:
海外基金