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シリコン系アモルファス半導体における水素やフッ素の入り方と欠陥

シリコン系アモルファス半導体における水素やフッ素の入り方と欠陥
氢和氟如何进入以及硅基非晶半导体中的缺陷
批准号:
59540176
负责人:
清水 立生
金额:
$1.22万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1984
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1984 至 --
关键词:

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レ-ザアブレ-ションによる酸化物高温超伝導薄膜の低温作製と評価
  • 批准号:
    03211213
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.41万
  • 财政年份:
    1991
  • 负责人:
    清水 立生
  • 依托单位:
エキシマレ-ザによる酸化物高温超伝導薄膜の低温作製と評価
  • 批准号:
    02227101
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.92万
  • 财政年份:
    1990
  • 负责人:
    清水 立生
  • 依托单位:
エキシマレーザによる酸化物高温超伝導薄膜の低温作製と評価
  • 批准号:
    01645001
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.92万
  • 财政年份:
    1989
  • 负责人:
    清水 立生
  • 依托单位:
多元系アモルファス半導体の物性定数とその組成制御
  • 批准号:
    57104007
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $4.22万
  • 财政年份:
    1982
  • 负责人:
    清水 立生
  • 依托单位: