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新機能光デバイスのための化合物半導体の物性制御の研究

新型功能光器件用化合物半导体物性调控研究

基本信息

批准号：
03204004
负责人：
吉川明彦
金额：
$ 9.6万
依托单位：
Chiba University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

化合物半導体の新機能性の発現のための物質設計,物性制御に関して以下のような研究成果が得られた.1.経験的パラメ-タを一切含まない第1原理からの分子動力学法による電子状態計算に基づいて、新しい二つの補償効果(Type A and B Compensation)を見いだした。Type Aでは格子間位置に於けるドナ-の原子移動障壁は0.2eVでありLiドナは室温でも移動しドナからアクセプタへの電荷移動によってアクセプタを不活性化する。Type BではLi原子がZn置換位置からはずれて格子間位置に留まりドナ準位を形成し、イオン化しアクセプタに電荷移動することによりアクセプタを不活性化する。これにより、安定で大きい伝導度を持つp型ZnSe作製のための浅い不純物のド-パントの候補を理論的手法により特定することができた。(吉田)2.Arイオンレ-ザを用いた光MOVPEでNH_3による窒素添加p型ZnSeの成長を検討したところ、従来より低温で多量のアクセプタを添加することに成功した。またこの時レ-ザ光の偏光方向と基板の面方位の関係が窒素の添加効率に大きな影響を与えることを見いだした。一方、ワイドギャップの混晶系としてZnCdSのMOVPE成長を検討し、混晶組成比の制御及び沃素添加による低抵抗膜の作製に功成した。この時成比が0.5付近でキャリアの補償中心が急激に増加することを示した。(吉川)3.(SrS/ZnS)多層薄膜を作製するため、まず、ホットウォ-ルエピタキシ-法を用いてSrS,ZnS薄膜の成長条件を調べた。蒸発源にSr金属(550℃)とS粉末(120℃)を用いて基板温度400℃でガラス基板上にSrS薄膜が成長することが分かった。同様にしてZnS薄膜も得られる。(SrS:Ce/ZnS)多層薄膜エレクトロルミネッセンス(EL)素子を作製し、従来のSrS:Ce薄膜ELより優れた特性を得た。(小林)4.InP基板上の格子整合系(GaInAs/InP5層多重量子箱構造を世界で初めて試作し、その電界屈折率変化スペクトルペクトルを測定した。また、量子細線レ-ザ作製に於ける再成長プロセスの改善を行い、GaInAs/InP3層量子細線レ-ザの室温連続発振動作を得ることに成功した。(荒井)

The following research results have been obtained for the development of new functional properties of compound semiconductors: 1. The basic principles of molecular dynamics for electronic state calculation, and the new Type A and B Compensation results. Type A is an atomic mobility barrier at 0.2 eV between lattice positions, and is inactive at room temperature for charge mobility. Type B: Li atom Zn substitution site, lattice site, charge transfer site, deactivation site This is a theoretical approach to the preparation of p-type ZnSe with high conductivity and stability. (Yoshida) 2. Ar ~+ The relationship between the polarization direction of the light and the plane orientation of the substrate has a great influence on the additive efficiency. The MOVPE growth model of ZnCdS in the mixed crystal system, the control of the composition ratio of the mixed crystal system and the preparation of the low resistance film with the addition of Zn were studied. The time ratio is 0.5. The compensation center is excited rapidly. (Yoshikawa)3. (SrS The growth conditions of ZnS and ZnS thin films were adjusted by SrS/ZnS multilayer thin film preparation method. The evaporation source Sr metal (550℃) and S powder (120℃) were used for the growth of SrS thin films on substrates at substrate temperatures of 400℃. The same is true for ZnS thin films. (SrS SrS:Ce multilayer thin films (SrS: ZnS) have been fabricated and the EL properties of SrS:Ce thin films have been obtained. (Kobayashi) 4. Lattice integration system on InP substrate (GaInAs/InP5-layer multiple quantum box structure) The room temperature continuous vibration behavior of GaInAs/InP three-layer quantum fine wire was successfully achieved. (Arai)