異相界面を利用して結晶配向制御による高機能非線形光学材料の設計
異相界面を利用して結晶配向制御による高機能非線形光学材料の設計
批准号:
03204008
负责人:
宮田 清蔵
金额:
$1.6万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
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近年、有機材料の光第二高調波発生(SHG)に関する研究が活発になされている。SHGに非中心対称構造を有する結晶にのみ発現する。従っていかに結晶構造を制御するかが,新規材料を設計する上で非常に重要となる。我々は単独ではSHG活性を示さないパラニトロアニリン(pーNA)とポリーεーカプロラクトン(PCL)を混合し、結晶化させるとpーNAとPCL間に働く水素結合のため電界を印加することなしにSHG活性が発現することを見いだした。pーNAの組成比がPCLに対して25Wt%程度であると共晶構造と形成し、PCLの結晶成長方向を制御することによりSHG活性なpーNAが一方向に配向したトランスクリスタルが作製できた。次に自己組織化膜上でのpーNAの結晶成長を試みた。石英ガラスを、3ーアミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)ーエタノ-ル水溶液中に浸漬することにより、ガラス表面上にアミノ基を導入した。またニトロ基の導入はアミノ基にて化学修飾されたガラス基板をpーニトロ塩化ベンジルーベンゼン溶液中で還流することにより行った。pーNAをメタノ-ル溶液に溶解し、表面を修飾したガラス基板上にスピンコ-トし、pーNA多結晶薄膜を得た。アミノ基やニトロ基をガラス表面に導入した基板上で作製したpーNA薄膜は全てSHG活性であった。これに対してガラス表面が疎水性となるアルキル基を導入した基板上ではSHG活性なpーNA薄膜は得られなかった。以上の結果よりSHG活性なpーNAを作製するためにはpーNAと基板間の水素結合が不可欠であるということが示唆された。APTESでコ-トしたガラス基板上に作製したpーNA結晶薄膜の非線形光学定数はd_<33>=100pm/Vであると算出された。この値は非線形光学材料として良く知られているLiNbO_3のd_<33>の約3倍の大きさである。これらの材料をデバイス化することにより高効率の光偏光器が作製できるであろう。
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T.Watanabe: "Second Harmonic Ceneration in Two-Directional Charge Transfer Molecules-Polymer Systems" The Proc.of 5th Toyota conference. (1992)
T.Watanabe:“双向电荷转移分子-聚合物系统中的二次谐波产生”第五届丰田会议记录。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.S.Nalwa: "Second-Harmonic Generation in Langmuir-Blodgett Monolayer of a Two-Dimensional Charge Transfer Molecule:N,N'-Dioctadecyl-4,6-Dinitro-1,3-Diaminobenzene" Jpn.J.Appl.Phys.30. 983-989 (1991)
H.S.Nalwa:“二维电荷转移分子的 Langmuir-Blodgett 单分子层中的二次谐波生成:N,N-Dioctadecyl-4,6-Di硝基-1,3-二氨基苯”Jpn.J.Appl.Phys.30
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
渡辺 敏行: "新・有機非線形光学材料I(材料開発の最先端)" CMC, 11 (1991)
渡边敏之:“新型有机非线性光学材料I(尖端材料开发)”CMC,11(1991)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.S.Nalwa: "Two-Dimensional Charge Transfer Molecules for Optimizing Second-Harmonic Generation in Langmuir-Blodgett Films" The Proc.of 5th Toyota conference. (1992)
H.S.Nalwa:“用于优化 Langmuir-Blodgett 薄膜中二次谐波生成的二维电荷转移分子”第五届丰田会议记录。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.S.Nalwa: "Progress in Photochemistry and Photophysics Volume V" CRC, 83 (1992)
H.S.Nalwa:“光化学和光物理学进展第五卷”CRC,83 (1992)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
大きな分子分極率を有するポリマーの設計と双極子配向制御
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批准号:07246105
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$29.82万
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财政年份:1995
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
有機非線形光学材料による光波マニピュレーション
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批准号:06352038
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1994
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
異相界面を利用した結晶配向制御による高機能非線形光学材料の設計
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批准号:04205036
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1992
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
異相界面を利用した結晶配向制御による高機能非線形光学材料の設計
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批准号:02204008
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1990
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
固・気界面の制御による導電性高分子の合成プロセスと応用に関する研究
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批准号:01604007
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1989
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
固・気界面の制御による透明導電性高分子薄膜の合成プロセスに関する研究
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批准号:63604007
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1988
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
固・気界面の制御による透明導電性高分子薄膜の合成プロセスに関する研究
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批准号:62604534
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1987
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
高分子磁性材料に関する研究
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批准号:58470078
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.67万
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财政年份:1983
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
高分子・有機半導体超薄膜を利用した MIS型太陽電池の開発
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批准号:58045040
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1983
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
超繊維構造形成による高性能高分子情報変換素子の開発
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批准号:58890008
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1983
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
アノマラスフォトボルタイック効果を利用した高分子太陽エネルギー変換素子の開発
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批准号:57040029
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1982
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
アノマラスフォトボルタイック効果を利用した高分子太陽エネルギー変換素子の開発
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批准号:56040027
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1981
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
アノマラスフォトボルタイック効果を利用した高分子太陽エネルギー変換素子の開発
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批准号:X00024----505023
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1980
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
高圧押出しによって超繊維構造を付与した高分子情報変換素子に関する研究
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批准号:X00080----549011
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.7万
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财政年份:1980
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
高圧力下における高分子の力学的性質と高圧下の延伸で発現する高次構造に関する研究
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批准号:X00090----455341
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1979
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
結晶成長と配向の制御によるポリビニリデンサイアナイド高性能情報変換素子の開発
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批准号:X00040----421105
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1979
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
分子配向の制御による高性能高分子フィルムエネルギー変換素子の試作
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批准号:X00120----485036
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$1.86万
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财政年份:1979
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
結晶成長と結晶配向の制御による高性能高分子フィルム情報変換材料の開発
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批准号:X00120----385015
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1978
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
高次構造を制御した高分子材料の生体環境における材料特性に関する研究
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批准号:X00040----321112
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1978
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
超高圧下の巨大結晶化によるポリフッ化ビニリデンエネルギー変換素子の開発
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批准号:X00120----285059
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1977
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负责人:宮田 清蔵
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依托单位:
海外基金