高温超伝導体薄膜界面の機能
高温超伝導体薄膜界面の機能
批准号:
03210217
负责人:
山下 努
金额:
$8.0万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
中文摘要
酸化物高温超伝導体は従来の金属超伝導体に無い数々の特徴を有している。例えば、結晶粒間の界面である粒界は結晶粒と明らかに異なる電子物性を示すことから,その機能性を利用した電子デバイスへの応用が期待される。我々はY系超伝導薄膜に含まれる傾角粒界がジョセフソン接合として機能することをいち早く見出した。本研究では,SrTiO_3並びにSiバイクリスタル基板上に制御された傾角粒界を持つY系超伝導薄膜を作製し,それを用いて試作したブリッジ型ジョセフソン接合素子やdcーSQulDの特性から粒界の機能性や電子物性を追求した。同一のY系超伝導薄膜で粒界を横断した場合とそうではない場合の臨界電流密度を比較した結果,傾角度の大きさによって臨界電流密度を制御できることが明らかになった。ブリッジ接合の直流から高周波領域にわたる基礎特性から,この接合の特性がRSJモデルで記述できること,また,マイクロ波,ミリ波帯でのヘテロダインミキシング特性もRSJモデルによるシミュレ-ション結果と良く一致することを明らかにした。試作したdcーSQUIDの磁束応答特性を解析した結果,SQUIDを構成する二つのブリッジ接合はほぼ正弦関数的なジョセフソン接合であり,接合中に流れる電流が均一であることが確認された。バイクリスタル基板(SriTiO_3,Si)上に成膜したY系超伝導薄膜を用いることによって傾角粒界ジョセフソン接合が人工的に作製できることが明らかになるとともに,今後は本研究で得た粒界の界面特性を利用した超伝導エレクトロニクス素子の開発が期待できる。
英文摘要
酸化物高温超伝導体は従来の金属超伝導体に無い数々の特徴を有している。例えば、結晶粒間の界面である粒界は結晶粒と明らかに異なる電子物性を示すことから,その機能性を利用した電子デバイスへの応用が期待される。我々はY系超伝導薄膜に含まれる傾角粒界がジョセフソン接合として機能することをいち早く見出した。本研究では,SrTiO_3並びにSiバイクリスタル基板上に制御された傾角粒界を持つY系超伝導薄膜を作製し,それを用いて試作したブリッジ型ジョセフソン接合素子やdcーSQulDの特性から粒界の機能性や電子物性を追求した。同一のY系超伝導薄膜で粒界を横断した場合とそうではない場合の臨界電流密度を比較した結果,傾角度の大きさによって臨界電流密度を制御できることが明らかになった。ブリッジ接合の直流から高周波領域にわたる基礎特性から,この接合の特性がRSJモデルで記述できること,また,マイクロ波,ミリ波帯でのヘテロダインミキシング特性もRSJモデルによるシミュレ-ション結果と良く一致することを明らかにした。試作したdcーSQUIDの磁束応答特性を解析した結果,SQUIDを構成する二つのブリッジ接合はほぼ正弦関数的なジョセフソン接合であり,接合中に流れる電流が均一であることが確認された。バイクリスタル基板(SriTiO_3,Si)上に成膜したY系超伝導薄膜を用いることによって傾角粒界ジョセフソン接合が人工的に作製できることが明らかになるとともに,今後は本研究で得た粒界の界面特性を利用した超伝導エレクトロニクス素子の開発が期待できる。
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J.Chen, T.Yamashita, H.Sasahara, H.kurosewa, T.Hirotsu: "Possible ThreeーTerminal Device with YBCO Angle Grain Boundary" IEEE Trans. on Appl. Supercond.1. 102-107 (1991)
J.Chen、T.Yamashita、H.Sasahara、H.kurosewa、T.Hirotsu:“具有 YBCO 角晶界的可能的三端器件”IEEE Trans.1 (1991)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Nakajima, T.Yamashita, M.Takata, S.Okamoto: "Moessbauer study on Fe_<16>N_2 films prepared by ionーimplant nitrification of iron films" J. Appl. phys.70. 6033-6035 (1991)
K.Nakajima、T.Yamashita、M.Takata、S.Okamoto:“通过铁膜离子注入硝化制备的 Fe_16>N_2 膜的 Moessbauer 研究”J.Appl.70(1991)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Suzuki, H.Kurosawa, J.chen, Y.Hirotsu, K.Nakajima, T.Yamashita, H.Myoren et al: "Artificial YBCO grain boundary jumctions on SrTiO_3 and Si bicrystal" Supercond. Sci. Technol. 4. 479-481 (1991)
H.Suzuki、H.Kurosawa、J.chen、Y.Hirotsu、K.Nakajima、T.Yamashita、H.Myoren 等人:“SrTiO_3 和 Si 双晶上的人工 YBCO 晶界结”
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
J.Chen, T.Yamashita, H.Suzuki, H.Kurosawa, H.Yamane, T.Hirai: "High Frequency Propeties of YBCO Bridge Febricated by MOCVD" IEEE Trans. on Magn.27. 3308-3311 (1991)
J.Chen、T.Yamashita、H.Suzuki、H.Kurosawa、H.Yamane、T.Hirai:“MOCVD 烧成的 YBCO 桥的高频特性”IEEE Trans。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
J.Chen, T.Yamashita, H.Suzuki, K.Nakajima, H.Kurosawa, Y.Mutoh, et al.: "YBa_2Cu_30_<7-X> Angle grain Boundary Junction on Si Bicrystal Substrate" Jpn. J. Appl. Phys.30. 1964-1968 (1991)
J.Chen、T.Yamashita、H.Suzuki、K.Nakajima、H.Kurosawa、Y.Mutoh 等人:“YBa_2Cu_30_<7-X> Si 双晶衬底上的角晶边界结”Jpn。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
高温超伝導体の異方性に起因する種々の電気的特性
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批准号:00F00066
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2000
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负责人:山下 努
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依托单位:
高温超伝導対薄膜界面の研究
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批准号:02226215
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$10.56万
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财政年份:1990
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负责人:山下 努
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依托单位:
高温超伝導体薄膜・絶縁物界面の研究
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批准号:01644515
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$10.88万
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财政年份:1989
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负责人:山下 努
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依托单位:
極微構造とフラクソイド量子との相互作用の研究
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批准号:57217022
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.84万
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财政年份:1982
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负责人:山下 努
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依托单位:
ジョセフソン接合素子を用いた高密度・高速電子回路の研究
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批准号:56203008
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.61万
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财政年份:1981
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负责人:山下 努
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依托单位:
ジョゼフソン接合素子を用いた高密度, 高速電子回路の研究
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批准号:X00040----510702
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$5.57万
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财政年份:1980
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负责人:山下 努
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依托单位:
ジョセフソン素子のミリ波・サブミリ波領域における発振・検波に関する研究
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批准号:X00210----875179
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.19万
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财政年份:1973
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负责人:山下 努
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依托单位:
海外基金