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基本光デバイスの高機能化

提高基本光学器件的功能

基本信息

批准号：
03244106
负责人：
西原浩
金额：
$ 28.48万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至 1993
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度に得られた主な成果は以下のとおりである、1.LiNbO_3、ガラス/Si、半導体、ポリマー等の各種光導波路を用いて、光波長フィルタ、情報読取り用光集積回路、光集積変位センサ、非線形光学波長変換デバイスなどの光集積デバイスを設計・試作して特性を評価し、実現可能性を実証した。[西原]2.30〜40GHz帯光制御デバイスの設計作製法確立のため導波路・制御電極の材料・作製加工法を重点的に研究した。また光波一光波制御デバイス実現のため非線形光導波路作製の研究を進めた。[末田]3.傾斜周期回折格子波長可変DFBレーザの波長可変性能の理論的検討・試作開発を行い、0〜90℃で7.3nmの波長可変幅を得た。またヘテロバイボーラトランジスタ構造キャリア注入型光スイッチを集積化するためのGaAsへの二重拡散プロセスを研究し、トランジスタ動作を確認した。[多田]4.非相反移相効果を用いた導波路型アイソレータの実現のため面内磁化特性をもつ磁気光学材料の開発を行い、面内磁化飽和に必要な外部磁界を50eまで低減した。[内藤]5.高性能光デバイス用量子構造形成法としてX線露光の最小転写線幅を解明し、単原子操作加工に向け半導体表面安定化によりSTM観察法を確立し加工を開始し、MOVPEとECR-RIBE法で歪多重量子構造を形成し光デバイス高性能化の見通しを得た。[古屋]6.演算用光デバイス超高速並列化のためのMSSW光スイッチ、ニューロスイッチ・回路、増幅素子、SHG素子、コリニア音響光学素子、テーパ導波路結合素子の集積化を検討し理論解析・基礎実験結果を得た。[宮崎]7.空乏層厚変化によるGaAs/AlGaAs光変調器/スイッチの特性改善を行った。導波路型ではGHz以上での動作確認を行い、平面型では10×4=40個の素子を2次元アレー状に集積し5.5Vの電圧変化で43%の消光比を得た。[山田]8.有機EL素子を用いた新光機能デバイスの可能性探索のため効率支配因子を解析した。また微小共振器EL素子で金属電極を反射鏡に用いても大幅な発光特性制御が可能なことを示した。[筒井]

The main achievements of this year are as follows: 1. LiNbO_3, ガラス/Si, semiconductors, ポリマー, etc., various optical waveguide applications, light wavelength フィルタ, Optical integration circuit for information acquisition, optical integration converter, non-linear optical wavelength converterどの光综合デバイスをDesign and trial productionしてcharacteristicsを価し、realization possibilityを実proveした. [Nishihara] 2.30~40GHz band light control system design and manufacturing method has been established, including waveguide, control electrode materials, and manufacturing processing method. Research on the fabrication of non-linear light guide wavepaths has been carried out by the light wave control system. [Sueda] 3. Research on the theory of wavelength scalability of the tilt-periodic refracted lattice DFB wavelength scalability performance, and experimental development of 0~90℃ wavelength scalability of 7.3nm.またヘテロバイボーラトランジスタ Structure キャリアInjection type light スイッチをintegration するためのGaAsへの二重拡sanプロセスを Research し, トランジスタaction をConfirmation した. [Tada] 4. The non-inverse phase-shifting effect is based on the in-plane magnetization characteristics of the waveguide type アイソレータの実present のためIt is necessary to reduce the in-plane magnetization saturation of the magnetic optical material and the external magnetic boundary to reduce the 50e. [Naito] 5. High-performance light source using quantum structure formation method, X-ray exposure, minimum line width, and single atom operation processing, and semiconductor surface stabilization The STM observation method was established and processing started, and the MOVPE and ECR-RIBE methods were used to form the multiple quantum structures and improve the performance of the light source. [Furuya] 6. Calculation using light beam ultra-high-speed parallelization MSSW light beam, light beam, circuit, and amplification element , SHG element, コリニアacoustic optical element, テーパguide wave path combination element's integration and theoretical analysis and basic results are obtained. [Miyazaki] 7. The depletion layer thickness is changed to improve the characteristics of the GaAs/AlGaAs optical modulator/スイッチのを行った. The waveguide type can confirm the operation of the waveguide type and above GHz, and the planar type can achieve an extinction ratio of 43% by integrating 10×4=40 elements into a 2-dimensional rectangular shape at 5.5V. [Yamada] 8. Organic EL elements are used to explore the possibility of new light functions and analyze the efficiency governing factors. The micro-resonator EL element, metal electrode, and mirror can be displayed using large-scale optical characteristics control. [tsutsui]