電子エネルギ-損失分光法を用いた金属クラスタ-の振動状態及び電子励起状態の研究

利用电子能量损失谱研究金属团簇的振动态和电子激发态

• 批准号: 03246203
• 负责人: 須藤 彰三
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03246203/
• 关键词: クラスタ-; 高分解能電子エネルギ-損失分光

本研究では、基板に吸着したクラスタ-の振動及び電子励起状動の解析を行ない、その物理的特性を明らかにすることを目的としている。そのための測定手段として、測定感度の高い高分解能電子エネルギ-損失分光器(HREELS)を用いる。本年度は計画に従って、HREELSの装置の調整を行なった。さらに、Si(111)表面にC_<60>を蒸着し、測定を行なったのでその結果を報告する。初めに、超高真空槽への試料導入機・ホルダ-、マイクロコンピュ-タ-を用いたデ-タ収集システムを製作し、次の1、2、3の順に調整と測定を行なった。1.Si(111)清浄表面を用いて、HREELSの31個の電子レンズとスリットの調整を行なった。その結果、反射電子ビ-ムの半値幅(分解能)16meV、ビ-ム強度7000〜10000cpsを得た。さらに、表面フォノンのエネルギ-位置付近にピ-クが観測されるが、測定感度が不十分なために正確なエネルギ-値は決められなかった。2.Si(111)表面に酸素を100ラングミュア導入し、測定を行なった。その結果、SiーOの伸縮振動モ-ド(96meV)、SiーOーSiの非対称伸縮振動モ-ド(108meV)の2のピ-クが重なって観測された。3.Si(111)表面にC_<60>を蒸着し、測定を行なった。その結果、65meVにピ-クが、観測された。このピ-クは、赤外活性な2つの振動モ-ド(65、72meV)とアサインされる。これらの測定結果は、HREELSの測定が可能になり、本年度の計画が達成されたことを示す。今後は、分解能と信号強度の向上をはかりながら、当初予定の基板に吸着した金属クラスタ-の振動状態及び電子励起状態の測定を行なう計画である。

This study focuses on the analysis of vibration and electron excitation in the substrate and its physical characteristics. High resolution energy electron generation-loss spectrometers (HREELS) are used to measure sensitivity. This year's plan is to adjust the installation of HREELS. The results of C_evaporation and measurement on Si(111) surface <60>are reported. The sample introduction machine for the initial and ultra-high vacuum chambers is used to prepare the sample collection system, and the sequential adjustment and measurement of the first, second and third chambers are carried out. 1. Si (111) clear surface modification, HREELS 31 electron transition adjustment. The results show that the half-value amplitude (resolution energy) of the reflected electron is 16meV, and the intensity of the reflected electron is 7000 ~ 10000cps. For example, the surface temperature of the sample is higher than the temperature of the sample. 2. Si (111) surface acid element 100 degrees, the introduction and determination. The results show that the stretching vibration of Si-O (96meV), the asymmetric stretching vibration of Si-O-Si (108meV) and 2-dimensional stretching vibration of Si-O are measured. 3. C_(111) on Si (111) surface was <60>evaporated and determined. 65meV 2. Vibration (65, 72 meV) and vibration (65, 72meV). The results of these measurements indicate that the HREELS measurements are possible and that the current year's plan has been achieved. In the future, the decomposition energy and signal intensity will be measured according to the vibration state and electron excitation state of the predetermined substrate.