パルスプラズマを用いたラジカル生成の制御

使用脉冲等离子体控制自由基产生

• 批准号: 06228218
• 负责人: 八坂 保能
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06228218/
• 关键词: プラズマプロセス; ラジカル; パルスプラズマ; 成膜

本研究の目的は、パルスプラズマ生成を用いて、シランプラズマ中のSiH_3ラジカルの増大化をはかり、ラジカル種の選択生成を実現することである。本年度の研究成果は以下の通りである。1.設備備品である4重極プラズマプローブヘッドを用いたしきい値イオン化により、プラズマによって生成されたH原子およびSiH_nラジカルが測定能になった。2.H_2とマイクロ波の入射をパルス化して生成したECRプラズマにおいて、生成されたH原子を測定した。H原子密度は、マイクロ波入射電力が1kWまでの範囲では、電力とともに増加する。3.Ar/H_2/SiH_4を定常フローさせ、定常プラズマを生成した場合のSiH_nラジカルを測定し、マイクロ波電力およびH_2流量に対する依存性を明らかにした。マイクロ波の入射をパルス化すると、プラズマ中で生成されるSiH_3のSiH_2に対する比が、同じ平均電力の定常プラズマの場合に比べて2-2.5倍になることを見いだした。この比の値は、SiH_4をパルス入射することでさらに増大可能であるとの見通しが得られた。4.Ar/H_2/SiH_4を含むECRプラズマ中の気相化学反応を計算する2次元モデリングコードを開発した。コードは、有限不均一プラズマ中の波動伝搬を有限要素法で解き、ついで流体近似の輸送方程式を解くものである。パルスプラズマ生成およびSiH_4のパルス入射により、SiH_3のSiH_2に対する比を、定常の場合の10^2-10^3倍にできることが示された。

In this study, the purpose of this study is to generate information about how to use sih _ 3 to improve the quality of your life. The research results of this year are listed below. 1. Equipment 2. The H2 wave incident wave generates the ECR atom and generates the H atom measurement. The atomic density of H, the incident wave of radiation, the temperature range of 1kW, and the temperature of electric power, increase the frequency of radiation. The 3.Ar/H_2/SiH_4 system is stable, the temperature is stable, the temperature is measured, the wave power is measured, the H2 flow is dependent, and the dependence is demonstrated. The frequency of incident wave is higher than that of SiH3 SiH_2, and the ratio of average power to constant temperature is 2-2.5times higher than that of normal temperature. There is a good chance that there is a good chance that the incident will be better than the SiH_4. 4.Ar/H_2/SiH_4 contains two-dimensional chemical reaction calculation in the ECR system. In this paper, the wave motion method is used to solve the finite element method, and the fluid approximate equation is solved in the finite element method. The generator generates the sih _ 4 incident, the SiH_3 SiH_2, the steady combination 10 ^ 2-10 ^ 3 times, the signal display.

项目成果

Y.Yasaka: "Two-Dimensional Modeling of ECR-Produced Silane Plasma" Proc.12th Symposium of Plasma Processing. 297-300 (1995)

Y.Yasaka：“ECR 产生的硅烷等离子体的二维建模”Proc.12th 等离子体处理研讨会。