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低速多価イオン衝突におけるオ-ビティング散乱の検証

慢速多价离子碰撞中轨道散射的验证

基本信息

批准号：
06229208
负责人：
奥野和彦
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tokyo Metropolitan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究に関連した平成5年度重点領域公募研究におけるAr^<a+>-H_2(q=6-11)衝突系の系統的な電子捕獲反応断面積測定において、低エネルギー電子捕獲反応では一電子および二電子捕獲反応断面積が衝突エネルギーの減少と共に増大するエネルギー依存性を示し、多価イオンと標的間に誘起する分極力により衝突軌道が曲がり旋回衝突をするいわゆるオ-ビティング散乱効果によりE^<-1.2>なるエネルギー依存を持つLangevinの断面積に漸近的に近づいていく現象を見いだした。本研究ではAr^<na+>-He(q=6-11)衝突系の一電子、二電子捕獲反応断面積測定においてもH_2標的と同様にオ-ビティング効果による低エネルギー側における反応断面積の増大を確認できた。そして更に、標的が入射イオンより質量が重く分極率の異なるC^<4+>-Ne、Ar、Krの各衝突系における一電子、および、多電子捕獲の反応断面積測定を行い、電子捕獲入射イオンのイオン強度測定から得られる前方散乱による電子捕獲反応断面積にはH_2やHe衝突で観測された低エネルギー側での増大現象は現れず、電子捕獲反応の後方散乱による標的イオン強度測定で低エネルギー側で反応断面積が急増する現象を見いだした。これらの実験結果から低速多価イオン衝突では、入射イオンの電荷数が大きく標的の分極率が大きい衝突系ほどより高い衝突エネルギー領域でオ-ビティング散乱の影響を受けていること、そして、電子捕獲反応では捕獲電子数が多い多電子捕獲反応ほど衝突エネルギーのより高い領域で前方散乱より後方散乱においてオ-ビティング散乱が重要な役割を演じている実験的証拠が得られた。またC^<4+>-Ar、Kr衝突系ではAr^<4+>とKr^<4+>イオンの検出によりC^<4+>を直接中性化する共鳴的な四電子捕獲反応が起ることも確認された。

This study is related to the public offering research in the key areas of the 2005 - 2006 period. The electron capture reflection area measurement of the collision system Ar^<a+>-H_2(q=6-11) shows the dependence of the electron capture reflection area on the collision generation and the reduction and increase of the collision generation. The multi-target interaction is induced by the collision orbit, the rotation collision, the scattering effect, and the close proximity phenomenon<-1.2>. In this study, we determined the one-electron and two-electron capture cross section area of Ar^<na+>-He(q=6-11) collision system, and confirmed the increase of cross section area of Ar ^<na +>-He (q = 6-11) collision system. For example, the electron capture reflection area measurement of one-electron, two-electron, and multi-electron capture in the collision system of Ne, Ar, and Kr was carried out. The electron capture reflection area measurement of the incident system of Ne, Ar, and Kr was carried out. The electron capture reflection area measurement of the incident system of Ne, Ar, and Kr was carried out. The phenomenon of rapid increase in the area of electron capture reflection due to the low intensity of electron capture reflection and scattering of the target The results range from low speed multi-level conflicts to high incident charges to high polarization ratios to high conflict systems to high conflict generation domains to low incident charges to high incident charges. The number of electrons captured in the electron capture reaction is high. The C^<4+>-Ar, Kr conflict system is confirmed by the detection of Ar^<4+> and Kr^<4+>, the direct neutralization of C^<4+> and the resonance of four-electron capture.