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低速多価イオン衝突におけるオ-ビテイング散乱の検証(後方散乱と多電子捕獲過程)

慢速多价离子碰撞中轨道散射的验证（反向散射和多电子捕获过程）

基本信息

批准号：
07218211
负责人：
奥野和彦
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Tokyo Metropolitan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、C^<4+>-Ne,Ar,Kr,Ar^<q+>(q=6,7,8,9,11)-H_2,He,Neの衝突系において0.075から500eV/amuの低エネルギー領域で一電子および多電子捕獲反応断面積の測定し、下記の方法で多電子捕獲過程ほど後方散乱が重要な役割を演じることを発見し、分極力を考慮したシュミレーション計算で分極力が支配する低エネルギー領域の反応断面積が増大するエネルギー依存性を再現し、低エネルギー領域におけるオ-ビティング散乱効果の重要性を明らかにした。多価イオンと中性ガスとの衝突で発熱反応で進行する電子捕獲反応について、運動力学的な考察をなした。衝突前の相対衝突エネルギーがEで発熱エネルギーがQの衝突の場合、実験室系で前方に観測される入射イオン(質量ma)から生成されたイオンの重心系おける散乱角の上限値(Θa)と観測可能な角度領域は、Θa=cos^<-1>{-(ma/mb)[E/(E+Q)]^<1/2>}と0≦Θ<Θa、標的(質量mb)からの生成イオンに対して観測可能な重心系における散乱角度の下限値(Θb)と角度領域は、Θb=cos^<-1>{[E/(E+Q)]^<1/2>}、Θb≦Θ<πの関係が得られる。実験室系で前方に散乱された入射イオンからの生成イオン観測による電子捕獲断面積測定では、ma<mbの衝突系に対しては重心系における後方散乱による生成イオン捕集も可能であるが、それが不可能となるma<mbの衝突系に対して、標的からの生成イオンの観測が、とりわけ、オ-ビティング散乱が支配的になると思われるE<Qの低エネルギー領域で後方散乱による電子捕獲断面積成分を調べるのに効果的であることが本研究により実験的に確認された。

In this study, C^<4+>-Ne,Ar,Kr,Ar^<q+>(q=6,7,8,9,11)-H_2, He, Ne collision system in the low temperature range of 0.075 ~ 500eV/amu. The measurement of cross-section area of one-electron and multi-electron capture reaction is described below. The importance of distributed effects is clearly demonstrated by the increase in the area of distributed effects in the low-growth domain and the reproduction of distributed effects in the low-growth domain. The study of electron capture and kinetic mechanics In the case of conflict before collision, the relationship between the upper limit of scatter angle (θ a) and the range of possible scatter angle (Θa) of the incident angle (mass ma) measured in front of the chamber system, Θa=cos^<-1>{-(ma/mb)[E/(E+Q)]^<1/2>} and the lower limit of scatter angle (θb) and the range of angle (mass mb) measured in front of the incident angle (mass ma), Θb=cos^<-1>{[E/(E +Q)]^<1/2>} and Θb <θ<π is obtained. The electron capture area measurement is based on the scattering of the incident light from the front of the chamber system and the scattering of the incident light from the rear of the chamber system. The electron capture area measurement is based on the scattering of the incident light from the rear of the collision system and the collision system. The electron capture area measurement is based on the scattering of the electron capture area measurement. The electron capture area measurement is based on The results of this study were confirmed by the observation that the electron capture area component was modulated by E<Q and the electron capture area was modulated by E <Q.