電界刺激エキソ電子放射(FSEE)の研究

场激外激电子发射（FSEE）研究

• 批准号: 06236217
• 负责人: 梅野 正隆
• 金额: $ 1.6万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06236217/
• 关键词: エキソ電子放射; タングステンチップ; トンネル効果; 仕事関数; 電子放射像; 画像処理

FSEE像と吸着ガスの関係を調べるため、主にWについてFSEEの精密な測定を行った。その結果WのFSEEもAlと同様トラップ準位からのトンネル効果によること、エキソトラップの形成にはガスの物理吸着が主に寄与すること、さらにエキソトラップの密度はWの表面原子密度と同程度であることが結論され、今後STM-STSにおける影響についての検討が必要となる。WではAlに較べ3桁以上強いFSEEが観測されるが、同時に3倍以上強いFEが重畳するので、エミッション像から画像処理により両者を分離してFSEE像を得た。FSEE像の解析からは、FSEEもFEと同様に{111}近くの仕事関数の低い面で生じることが認められた。さらにFIM像との対比から、粒界等の格子欠陥の位置で強いエキソエミッションが生じることが分かり、欠陥起因のエキソ放射機構を直接確めることができた。FIMにより清浄表面を確認した後、N_2およびO_2吸着によるFSEE像とFE像の変化を調べたところ、ガス吸着により仕事関数の増加する結晶面からの放射は両者とも減少することが分かった。このことは2過程モデルにおいて、励起確率とトンネル透過係数の何れもが仕事関数の増加と共に減少することから説明された。

FSEE image and absorption relationship are adjusted, and FSEE is precisely measured. The results show that the physical adsorption of W FSEE and Al isoforms is mainly related to the formation of W FSEE and Al isoforms, and it is necessary to discuss the influence of W FSEE and Al isoforms on the surface atomic density of W. W is more than 3 times stronger than FSEE, and at the same time, more than 3 times stronger than FE. FSEE image resolution, FSEE FE and the same {111} near the official number and low surface of the production of In addition, the position of the FIM image and the contrast, the grain boundary and other grid defects will be separated, and the cause of the defect and the radiation mechanism will be directly determined. FSEE images and FE images are transformed by the absorption of N_2 and O_2, and the number of crystal planes and radiation decreases. This is a description of how the excitation coefficient increases.

项目成果

M.Umeno: "Formation of Si-SiO_2 Interface Structure and its Direct Observations" J.Japan.Assoc.Crystal Growth. 21. S241-S248 (1994)

M.Umeno：“Si-SiO_2 界面结构的形成及其直接观察”J.Japan.Assoc.Crystal Growth。

I.Takahashi: "Structure of Silicon Oxide on Si(001) Grown at Low Temperature" Surf.Sci.315. L1021-L1024 (1994)

I.Takahashi：“低温生长的 Si(001) 上的氧化硅结构”Surf.Sci.315。

M.Mori: "Temperature Dependence of the Field Stimulated Exoelectron Emission" Appl.Surf.Sci.76/77. 21-25 (1994)

M.Mori：“场受激外电子发射的温度依赖性”Appl.Surf.Sci.76/77。

M.Tagawa: "Aomic Oxygen Generators For Surface Studies in Low Earth Orbit" AIAA journal. 32. 95-100 (1994)

M.Takawa：“Aomic 氧气发生器用于近地轨道表面研究”AIAA 期刊。

J.Suwa: "Field Ion Microscopic Observation of Reconstructed Structures of Si Surface and Si/SiO_2 Interfaces." Proc.7th Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism. Atagawa. 227-232 (1994)

J.Suwa：“Si 表面和 Si/SiO_2 界面重建结构的场离子显微镜观察”。