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半導体量子位相デバイス

半导体量子相器件

基本信息

批准号：
06238104
负责人：
古屋一仁
金额：
$ 105.98万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至 1996
项目状态：
已结题

项目摘要

GalnAsOMVPEにより三重バリア電子波共振器を作製し共鳴エネルギー幅測定からバリスティック電子のコヒーレンス長推定方法を研究し、電子ビーム描画により回折観測用超微埋め込みスリットを作製し電子波回折観測を行い、走査ホットエレクトロン顕微鏡動作に初めて成功した(古屋)。VLSIプロセスと互換性をもつシリコン異方性エッチングにより、リソグラフィ限界を越える微細なT字、十字および単一ドット構造を作製し、シリコン量子デバイスとVLSIとの集積化の基礎を固めた(生駒)。同プロセスを用いて極微細MOSFETを作製し、室温および低温での単一電子現象を観測し、理論的考察から、チャネルが複数のドットに分裂し、熱励起型ホッピング伝導が支配的であることを明らかに、室温動作シリコン量子デバイス実現を一歩近づけた(平本)。へき開量子井戸構造端面(エッジ)上に量子井戸を成長させて交叉部にT字形量子細線を形成し、一次元励起子束縛エネルギーの増大、偏波依存性を見出し、自己形成InAs量子箱トラップを有するGaAs/AlGaAsヘテロFETを作製し単一電子正孔捕縛を観測した(榊)。真空一貫プロセス埋め込み量子構造作製をめざし結晶成長中断条件把握と低エネルギーFIBその場注入およびMBE再成長によりGaAs埋め込みデルタドープ層形成に成功し、ホールおよびCV測定により高移動度の電子系形成を確認した(蒲生)。電界液中でSTMを用いて、n-GaAs表面に対して、局所的なエッチングおよび金属折出を行い、表面酸化状態、不純物濃度および基板電位依存性を明らかにし、エッチングメカニズムが探針からのホール注入によることを明らかにした(奥村)。

The GalnAsOMVPE triplex electron wave resonator acts as a common instrument for the determination of the strength of the engine. The study of the method for the presumption of the strength of the engine, the study of the method for the estimation of the strength of the engine, and the use of the ultra-micro-embedded device for the recovery of the wave of the electron wave is carried out by the ultra-micro-embedded device. The VLSI, the interactivity, the interactivity, the cross, the quantum, the VLSI, the limit, the limit and the limit. In the same period of time, extremely low temperature MOSFET is used as a device, room temperature temperature and low temperature temperature are used as an example, theoretical studies are carried out, complex data are analyzed and split experiments are performed, excitation-induced transmission guides are used to determine the accuracy of the device, and the room temperature action is used to detect a short-term response (plain version). On the end face of the open quantum well, the growth of the quantum well, the cross section of the quantum well, the T-shaped quantum line, the primary exciter beam, the bias wave dependence, the self-formed InAs quantum box, the GaAs/AlGaAs device, the FET device, the positive hole trap, the receiver, the receiver, the driver, the receiver, the receiver, the receiver, Under the condition of growth interruption of the growth of the vacuum one-stage buried quantum fabrication device, make sure that the low temperature FIB field is injected into the thermal MBE to grow again, and the buried GaAs device is successfully formed, and the CV measurement device is used to determine the formation of a confirmation device (Pu Sheng). In the electrical industry, STM devices are used, n-GaAs surfaces are used, local equipment is used, the metal is folded, the surface acidified state, the temperature dependence of the substrate potential is sensitive, the temperature is sensitive, the temperature is sensitive, and the temperature is high.