半導体量子細線、量子点構造の動的電気伝導度と電磁波・光応答
半導体量子細線、量子点構造の動的電気伝導度と電磁波・光応答
批准号:
07227210
负责人:
片山 信一
金额:
$0.38万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 --
中文摘要
光と物質との相互作用は固体内の電子の挙動とからんで次々と新しい話題を提供する。半導体量子デバイスの開発では、電子波制御のために静的な外部電磁場とともに“光と電子波の相互作用"が中心的役割を果たすことは明らかであろう。本研究はその中心を次の二つにおく;一つはヘテロ構造の電子遷移を伴う発光や光吸収である、もう一本の柱は微細構造における電磁場の存在様式の探究である。今年度は、この二つが関係する電気分極の非局所性に絡んだ研究が進展した。1.“量子井戸励起子ポラリトンからの発光"の研究を進めた。電磁場と励起子状態の結合した励起子ポラリトンのエネルギー分散を計算し、表面のグレーティングカプラーの存在を考慮した電磁場の計算を行った。2.発光の偏光特性、発光面にたいしてp-偏光かs-偏光かにより発光の強度が劇的に変化することを示し、発光スペクトルの半定量的な予測を行うことができた。3.Kohlらにより観測された発光スペクトルと比較してこの挙動を説明できた。偏光この研究は表面グレーティングカプラーを用いての非放射モードの電磁波放射の一般理論の基礎になる。とくに最近注目されているホツトキャリアのプラズマ遠赤外線放射の理解を深める。4.二次元電子系の発光理論を展開した。
英文摘要
光と物質との相互作用は固体内の電子の挙動とからんで次々と新しい話題を提供する。半導体量子デバイスの開発では、電子波制御のために静的な外部電磁場とともに“光と電子波の相互作用"が中心的役割を果たすことは明らかであろう。本研究はその中心を次の二つにおく;一つはヘテロ構造の電子遷移を伴う発光や光吸収である、もう一本の柱は微細構造における電磁場の存在様式の探究である。今年度は、この二つが関係する電気分極の非局所性に絡んだ研究が進展した。1.“量子井戸励起子ポラリトンからの発光"の研究を進めた。電磁場と励起子状態の結合した励起子ポラリトンのエネルギー分散を計算し、表面のグレーティングカプラーの存在を考慮した電磁場の計算を行った。2.発光の偏光特性、発光面にたいしてp-偏光かs-偏光かにより発光の強度が劇的に変化することを示し、発光スペクトルの半定量的な予測を行うことができた。3.Kohlらにより観測された発光スペクトルと比較してこの挙動を説明できた。偏光この研究は表面グレーティングカプラーを用いての非放射モードの電磁波放射の一般理論の基礎になる。とくに最近注目されているホツトキャリアのプラズマ遠赤外線放射の理解を深める。4.二次元電子系の発光理論を展開した。
期刊论文(5)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
S.Katayama: "Ligh emission of quantum‐well‐exciton polaritons in single quantum wells" Physica B. (in press). (1996)
S. Katayama:“单量子阱中量子阱激子极化子的光发射”Physica B.(正在出版)(1996 年)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Hohnoki,: "Absorption Spectra and Electronic Structures in ZnSe‐ZnS and ZnTe‐ZnSe Strained‐Layer Superlattices," Jpn. J. Appl. Phys.Suppl.34-1. 65-67 (1995)
S. Hohnoki,:“ZnSe-ZnS 和 ZnTe-ZnSe 应变层超晶格中的吸收光谱和电子结构”,Jpn. Phys. Suppl. 34-67 (1995)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Tsuchiya: "Magnetic oscillation of luminescence energy in asymmetric quantum wells" Jpn. J. Appl. Phys.34. 4544-4547 (1995)
T.Tsuchiya:“不对称量子阱中发光能量的磁振荡”Jpn。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
微小ディスクサブバンド間遷移ラマンレーザーの理論設計
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批准号:20560033
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.66万
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财政年份:2008
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负责人:片山 信一
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依托单位:
単一ヘテロ接合における2次元プラズモン励起の近接電磁場パターン
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批准号:09640390
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:片山 信一
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依托单位:
半導体量子細線、量子点構造の動的電気伝導度と電磁波・光応答
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批准号:08217209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.38万
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财政年份:1996
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负责人:片山 信一
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依托单位:
半導体量子細線、量子点構造の動的電気伝導度と電磁波・光応答
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批准号:06238211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1994
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负责人:片山 信一
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依托单位:
硫化タリウム結晶の格子不安定性と光伝導特性の制御
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批准号:04205053
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1992
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负责人:片山 信一
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依托单位:
II-VI族半導体超格子の格子不整合歪みと電子-フォノン系への歪み効果
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批准号:01604543
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1989
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负责人:片山 信一
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依托单位:
II-VI族半導体超格子の格子不整合歪みと電子-フォノン系への歪み効果
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批准号:63604538
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.38万
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财政年份:1988
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负责人:片山 信一
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依托单位:
II-VI族半導体超格子の格子不整合歪みと電子-フォノン系への歪み効果
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批准号:62604549
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1987
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负责人:片山 信一
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依托单位:
IV-VI族半導体における構造相転移の化学結合論的研究
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批准号:X00095----464102
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.3万
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财政年份:1979
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负责人:片山 信一
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依托单位: