微小ディスクサブバンド間遷移ラマンレーザーの理論設計

微盘子带间跃迁拉曼激光器的理论设计

• 批准号: 20560033
• 负责人: 片山 信一
• 金额: $ 1.66万
• 依托单位: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560033/
• 关键词: サブバンド間遷移レーザー; 誘導ラマン散乱; ラマンレーザー; 非対称結合二重量子井戸

本研究の目的は、「微小ディスクサブバンド間遷移ラマンレーザー」の理論を発展させ、半定量的な解析をベースにして、新規中間赤外波長域の光ポンプ量子構造半導体レーザーの設計を行うことにある。このレーザーの特性制御のアイディアは、円柱状微小ディスク共振器の電磁場モード(ウィスパリング・ギャラリーモード)の形状(半径、厚み)依存性とレーザー発振周波数の印加電場依存性の二つをうまく同調共鳴させることにある。これにより、レーザーの波長変化、高効率化を図ることが期待される。今年度は、(1)レーザー動作の時間発展と電場効果の数値解析の実施、(2)解析的手法による円柱状微小ディスク構造における電磁場パターンの研を行った。とくに(1)の研究成果を第33回IRMMW-THz国際会議において報告した。レーザー動作の時間発展についての具体的内容として、サブバンド間遷移誘導ラマン散乱と縦光学フォノンのサブバンド間緩和率を加味したレーザーレート方程式を構築し、サブバンド間のエネルギー移送と連立させて、ストークスフォトン数、各サブバンドの電子占有数、温度の時間発展を導いた。数値計算は2重結合GaAs/AlGaAs量子井戸について実施した。100-200psの時間域にレージングに対応するストークスフォトン数の急激な増加と1ns以降の定常動作に導く飽和を見出した。また、これに同期する第一励起状態の電子温度の大きな低下と引く続く上昇を確認できた。電場特性については、ゼロ電場の結果と比べて顕著なラマン利得の増強効果を見出した。その結果、電場をゼロから負方向へ40kV/cmほど掃引することで、発振波長を数μm変動させることができることを明らかにした。

The purpose of this study is to achieve the purpose of this study, the exhibition of the theory of "micro-radar inter-optical transmission", the semi-quantitative analysis of optical transmission, and the design of the design of semi-infrared optical equipment in the new law. The characteristics of the microwave system control the shape (radius, thickness) of the magnetic field (radius, thickness) of the cylindrical micro-resonator, which is dependent on the number of waves in the Inca field. We are looking forward to the development of a long-term and high-rate economy. This year, (1) this year, (1) this year (1) Research results 33 back to the IRMMW-THz International Conference report. The content of the message is displayed in time, the number of computers, the number of computers in each car, the number of computers, the number The temperature and time show will lead the show. Several calculations are performed in combination with the GaAs/AlGaAs quantum well. In the time domain of 200ps, you need to increase the number of 1ns to reduce the number of steady actions and output signals. At the same time, when the temperature of the battery is high, the temperature of the battery is low, and the temperature of the engine is low, it is necessary to confirm the temperature of the engine. The performance of the electric field is good, and the results of the electric field are better than those of the other two. The result of the experiment, the direction of the 40kV/cm station, the number of the vibration wave length μ m, the vibration wave length, the frequency, the wave length, the frequency, the

项目成果

Numerical analysis of biased GaAs/AlGaAs intersubband Raman laser

偏置GaAs/AlGaAs子带间拉曼激光器的数值分析

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Miura;S. Katayama
• 通讯作者: S. Katayama