课题基金 / 基金详情

分子構造の制御されたLB膜を用いたMIM接合の磁気トンネリング効果に関する研究

分子構造の制御されたLB膜を用いたMIM接合の磁気トンネリング効果に関する研究
分子结构可控LB薄膜MIM结磁隧道效应研究
批准号:
07241205
负责人:
安藤 康夫
金额:
$1.22万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
1.LB膜を用いた強磁性トンネル接合の生成poly-N-dedecylacrylamide(PDDA)有機超薄絶縁膜を生成した.これを用いてCo/PDDA/80Ni-Feトンネル接合を作製した.Coと80Ni-Feの保磁力の差により磁化の反平行状態が実現され,この時抵抗値が上昇する,いわゆる磁気トンネル効果を観測した.有機超薄膜を用いて磁気トンネル効果を観測したのは初めてである.また有機分子としてステアリン酸Ba塩,メロシアニン色素についても検討した.色素を用いた接合の生成は機能性有機-無機接合素子への応用として注目される.有機分子上に蒸着した金属電極の保磁力はその蒸着条件および有機分子の表面状態に大きく依存した.2.非弾性トンネルスペクトロスコピー(IETS)装置の製作有機分子を用いたトンネル接合の金属-有機分子界面状態の解明のためにIETSを製作した.回路はブリッジを使用した変調法によるもので,模擬試料およびAl/Al_2O_3/Co接合において,回路の動作を確認した.3.フェロセン誘導体薄膜の磁気特性絶縁層として用いたPDDAにフェロセニルメチルアクリレート(FcMA)を共重合させその磁気特性を測定した.この共重合高分子はpowder状態で常磁性を示した.これをLB法により分子配向化するとモルあたりの磁化はpowderの20〜30倍に上昇した.磁化曲線の形状は強磁性的である.さらに,この膜は累積方向に依存する磁気異方性も観測された.FcMA1分子あたりの磁気モーメントは約0.8μ_B(55kOe,4.5K)で,FcMAの重合比率を上げるとむしろ減少した.磁化曲線は室温以上においても依然として強磁性的で,550K以上の焼鈍で融解に伴いpowder値まで減少した.
英文摘要
1.LB膜を用いた強磁性トンネル接合の生成poly-N-dedecylacrylamide(PDDA)有機超薄絶縁膜を生成した.これを用いてCo/PDDA/80Ni-Feトンネル接合を作製した.Coと80Ni-Feの保磁力の差により磁化の反平行状態が実現され,この時抵抗値が上昇する,いわゆる磁気トンネル効果を観測した.有機超薄膜を用いて磁気トンネル効果を観測したのは初めてである.また有機分子としてステアリン酸Ba塩,メロシアニン色素についても検討した.色素を用いた接合の生成は機能性有機-無機接合素子への応用として注目される.有機分子上に蒸着した金属電極の保磁力はその蒸着条件および有機分子の表面状態に大きく依存した.2.非弾性トンネルスペクトロスコピー(IETS)装置の製作有機分子を用いたトンネル接合の金属-有機分子界面状態の解明のためにIETSを製作した.回路はブリッジを使用した変調法によるもので,模擬試料およびAl/Al_2O_3/Co接合において,回路の動作を確認した.3.フェロセン誘導体薄膜の磁気特性絶縁層として用いたPDDAにフェロセニルメチルアクリレート(FcMA)を共重合させその磁気特性を測定した.この共重合高分子はpowder状態で常磁性を示した.これをLB法により分子配向化するとモルあたりの磁化はpowderの20〜30倍に上昇した.磁化曲線の形状は強磁性的である.さらに,この膜は累積方向に依存する磁気異方性も観測された.FcMA1分子あたりの磁気モーメントは約0.8μ_B(55kOe,4.5K)で,FcMAの重合比率を上げるとむしろ減少した.磁化曲線は室温以上においても依然として強磁性的で,550K以上の焼鈍で融解に伴いpowder値まで減少した.
期刊论文(4)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
手束展規: "Magnetic tunneling effect in ferromagnet/Al_2O_3/ferromagnet junction" Journal of the Magnetics Society of Japan. 19. 369-372 (1995)
Nobuaki Tetsuka:“铁磁体/Al_2O_3/铁磁体结中的磁隧道效应”日本磁学学会杂志 19. 369-372 (1995)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
古泉浩: "FMR Study on 80Ni-Fe/Cu/Co Trilayer Films" Journal of the Magnetics Society of Japan. 19. 389-392 (1995)
Hiroshi Koizumi:“80Ni-Fe/Cu/Co 三层薄膜的 FMR 研究”日本磁学学会杂志 19. 389-392 (1995)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
安藤康夫: "Fabrication of ferrous stearate multilayer films by the Langmuir-Blodgett method" Thin Solid Films. 266. 292-297 (1995)
Yasuo Ando:“通过 Langmuir-Blodgett 方法制造硬脂酸亚铁多层薄膜”薄固体薄膜。266. 292-297 (1995)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
安藤康夫: "Magnetic properties of stearate films with 3d-transition metal ion fabricated by Langmuir-Blodgett method" Thin Solid Films.
Yasuo Ando:“通过 Langmuir-Blodgett 方法制造的具有 3d 过渡金属离子的硬脂酸盐薄膜的磁性”固体薄膜。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
規則合金系ヘテロ接合における多彩なスピンデバイス創製
  • 批准号:
    24246004
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额:
    $19.64万
  • 财政年份:
    2012
  • 负责人:
    安藤 康夫
  • 依托单位:
分子構造の制御されたLB膜を用いたMIM接合の磁気トンネリング効果に関する研究
  • 批准号:
    09217204
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $0.96万
  • 财政年份:
    1997
  • 负责人:
    安藤 康夫
  • 依托单位:
分子構造の制御されたLB膜を用いたMIM接合の磁気トンネリング効果に関する研究
  • 批准号:
    08231205
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $0.96万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    安藤 康夫
  • 依托单位:
LB法による有機磁性薄膜の作製並びに基礎物性に関する研究
  • 批准号:
    06855001
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.58万
  • 财政年份:
    1994
  • 负责人:
    安藤 康夫
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
用于血清低水平游离胆红素测定的金纳米簇LB膜荧光传感器研究
  • 批准号:
    61761013
  • 项目类别:
    地区科学基金项目
  • 资助金额:
    37.0万元
  • 批准年份:
    2017
  • 负责人:
    肖文香
  • 依托单位:
多酶体系的定向共固定化:亲和LB膜法和共辅基法
  • 批准号:
    51473148
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    84.0万元
  • 批准年份:
    2014
  • 负责人:
    叶鹏
  • 依托单位:
功能化石墨烯-生物大分子LB膜的分子组装与电化学性质研究
  • 批准号:
    U1304213
  • 项目类别:
    联合基金项目
  • 资助金额:
    30.0万元
  • 批准年份:
    2013
  • 负责人:
    王非
  • 依托单位:
有机LB膜和磁性金属复合多层膜材料的微制备及其第一性原理计算研究
  • 批准号:
    11104338
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    30.0万元
  • 批准年份:
    2011
  • 负责人:
    刘东屏
  • 依托单位: