分子構造の制御されたLB膜を用いたMIM接合の磁気トンネリング効果に関する研究

分子结构可控LB薄膜MIM结磁隧道效应研究

基本信息

  • 批准号:
    09217204
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.96万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1997
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1997 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.LB膜を用いた強磁性トンネル接合の生成強磁性体の電極として80NiFeおよびCo,絶縁体はpoly-N-dodecylacrylamide(PDDA),ferrocenyl-methyle-acrylate(Fc)との共重合体およびRuを用いた.トンネル接合のパタ-ニングはメタルマスクを用い接合面積を100x100〜500x500μm^2の範囲で変化させた.これらの分子のへテロ積層および混合LB膜は光誘起電子移動反応を示した.トンネル抵抗と接合面積は1つの直線状にのる傾向を示し,Al_2O_3を用いた接合と比較して同等の抵抗を示し,分子種による明確な違いは見られなかった.これらいずれの膜を用いても磁気トンネル効果を示しが,ほとんどの接合の磁気抵抗比は1%以下にとどまった.トンネル抵抗の低い接合においては磁気抵抗比の上昇が観測されが,これはgeometrical enhancementにより磁気抵抗比が上昇したものであると結論された.これより機能団であるFcMA,Ruは暗状態ではトンネル特性および磁気抵抗比に影響を及ばさず,DDAによる特性のみで特性が支配されている事がわかった.2.IETSによる金属-有機界面の電子状態の解析PDDAを用いた接合には金属あるいは金属酸化物フォノンによるピークに加え,PDDA分子のCH_2はさみ振動,CH伸縮振動,NH逆対称伸縮振動の各分子振動モードに帰属されるピークが見られ,FT-IRスペクトルのピーク位置と良く一致した.一方,ゼロバイアス近傍に明瞭なピークは観測されなかった.これは両強磁性体電極からの不純物が少ないことを物語っている.また,マグノンモードが少ないことから,界面層の酸化が進行して接合界面のスピン分極率が低下していることがわかった.
1. LB film is used for ferromagnetic bonding to produce ferromagnetic electrode. 80NiFe and Co are used for insulating poly-N-dodecylacrylamide(PDDA), ferrocenyl-methyl-acrylate(Fc). The joint area is 100 x 100 ~ 500 x 500 μm^2 and the range is 100 x 100 ~ 500 μm^2. The molecular structure of the hybrid LB film is reflected by the electron migration induced by light. Al_2O_3 is used to bond the surface area of the molecular species. The magnetic resistance ratio of the joint is less than 1%. The results show that the magnetic resistance ratio increases with the geometric enhancement. 2. Analysis of Electronic State of Metal-Organic Interface in IETS PDDA Application in the Connection of Metal and Metal Acid-Containing Compounds, CH_2 Vibration of PDDA Molecule,CH Stretching Vibration, NH counter-symmetric stretching vibration of each molecule vibration,FT-IR selection, location and good consistency. One side, the other side. Ferromagnetic electrodes are made of impurities. The interface layer is acidified and the polarization ratio of the bonding interface is reduced.

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
手束 展規: "強磁性トンネル接合における絶縁障壁と磁気抵抗" 日本応用磁気学会誌. 21. 493-496 (1997)
Nobuaki Tetsuka:“铁磁隧道结中的绝缘势垒和磁阻”日本应用磁学学会杂志 21. 493-496 (1997)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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Terunobu Miyazaki:“各种结点中的自旋极化磁隧道磁阻效应”《物理学杂志》D.(正在出版)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
安藤康夫: "Spin Dependent Tunneling in 80NiFe/LB Film with Ferrocene and Tris (bipyridine) ruthenium Derivatives/Co Junciton" Thin Solid Films. (in press).
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  • 发表时间:
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    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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