遍歴的な重い電子系化合物の一電子バンド構造と重い電子の起源に関する研究

巡回重电子化合物单电子能带结构及重电子起源研究

基本信息

批准号：
08223229
负责人：
播磨尚朝
金额：
$ 0.38万
依托单位：
Osaka Prefecture University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08223229/
关键词：
重い電子系バンド理論フェルミ面質量増強因子

项目摘要

本研究の第一の目的は、遍歴的な重い電子系の電子電子相互作用による質量増強因子を、周期的アンダーソン模型に基づいた2次の自己エネルギーの表式を用いて計算する事であった。実際、CeRh2、CeCo2、CeRu2、CeSn3等の質量増強が10程度の2次摂動が適用出来ると予想される化合物に関しての計算は終えた。これにより、de Haas-van Alphen効果の実験との一致のよいフェルミ面を持つ物質については、質量増強因子の一致もよい事が解った。また、合わせてLaRh2強調に寄与しないことが解った。これらの結果は投稿準備中であり、さらに計算手法を発展させ、現在はk依存性を考慮した質量増強因子の計算を行い、サイクロトロン有効質量の方向依存性がどの程度再現されるのか調べている。また、通常のバンド計算の手法を用いて、LaCu2、YbSn3、LaFe4P12、LaNi2Al5、YbSb2、Yb4As3の電子構造計算を行い、de Haas-van Alphen効果や光電子分光の実験結果と比較することを通じて、これらの物質の電子構造を明らかにした。Yb4As3に関しては、電荷秩序した後の三法格子の構造のモデル計算も行った。LaCu2とYbSn3に関しては、フェルミ面に関して実験との一致は極めてよい。LaFe4P12に関してはp-f混成効果のために、実験を説明するフェルミ面を得るには局所密度近似に対する補正が必要であることが解った。その他の化合物に関しては、現在、実験結果との詳細な比較・検討を行っている。

这项研究的主要目的是使用基于循环的安德森模型的二次自我能量表达来计算历史繁重的电子系统中电子电子相互作用引起的质量增强因子。实际上，计算已经完成了质量增强（例如CERH2，CECO2，CERU2，CESN3）等化合物的计算，预计将适用于大约10的2阶扰动。这表明质量增强因子也适用于具有FERMI表面的材料，与FERMI表面相吻合，这与De Haas-Van-Van-Van-Van-Van-Van-Van-Van-Van-Van-Van-Van-Van-Van-Van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-van-vannphen效应。还发现它没有促进LarH2加权。这些结果目前正在准备提交，并进一步开发了一种计算方法，目前正在计算质量增强因子，并考虑了K依赖性，并检查了有效回旋质量质量的方向依赖性的程度。此外，通过使用常规的频带计算方法来揭示这些材料的电子结构来计算LACU2，YBSN3，LAFE4P12，LANI2AL5，YBSB2和YB4AS3的电子结构，并通过将其与De Haas-Van Alphen效应和光学效果进行比较。对于YB4AS3，还对电荷排序后的三方法晶格的结构进行了模型计算。关于LACU2和YBSN3，费米表面与实验高度一致。关于LAFE4P12，已经发现，由于P-F杂交效应，需要对局部密度近似的校正才能获得费米表面以解释实验。目前正在比较其他化合物与实验结果进行详细研究。