权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

充填スクッテルダイト化合物の重い電子状態の解明

填充方钴矿化合物的重电子态的阐明

基本信息

批准号：
15072204
负责人：
播磨尚朝
金额：
$ 100.99万
依托单位：
Kobe University (2004-2007)Osaka University (2003)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2003
资助国家：
日本
起止时间：
2003 至 2007
项目状态：
已结题

项目摘要

(電子状態計算)LaOS_4P_12のフェルミ面を明らかにし、ネスティング条件を議論した。(dHvAと高磁場)ROs_4P_l2(R=La,Ce,Pr,Nd,Sm)とEuRu_4Sb_12の単結晶育成に成功し、dHvA測定を行った。PrOs_4P_12のフェルミ面はLaOs_4P_12と類似しており18m_0の重いサイクロトロン有効質量を観測し、LaOs_4P_12に比べ4倍ほど重くなっている。EuRu_4Sb_12においてdHvAを観測し、フェルミ面の形状からEuの価数は2価であると推測した。(NMR/NQR)PrOs_4Sb_12の超伝導状態および結晶場分裂をP=3.82GPaまでの高圧下NMRによつて調べた。また、YbFe_4Sb_12の緩和時間測定(100K以下)で見られる異常に関して、価数変化とラットリングの観点から議論を行った。(光電子分光)重い電子系的な振る舞いを示すSmOs_4Sb_12は、電子状態の基本的な知見が不足してが、Smが2価と3価の間の価数揺動状態にあること、平均価数が温度変化すること、フェルミ準位付近に大きなSm4f部分状態密度が有ることを明らかにした。(高圧測定)高圧下の比熱測定技術を整備し、電気抵抗測定との同時測定を可能にした。結晶構造解析等によって、PrRu_4P_l2の高次の多極子秩序および超高圧下の物性変化について系統的に研究した。(赤外分光)・CeRu_4As_12を常温でCeOs_4As_12を室温から3.3 Kの温度範囲で光反射率の測定を行った。いずれも0.leV程度のエネルギーギャップを有する半導体であることを明らかとした。

(Electronic state calculation)LaOS_4P_12 is a new type of electronic device. (dHvA High magnetic field) ROs_4P_12 (R=La,Ce,Pr,Nd,Sm) Eu Ru_4Sb_12 crystals were successfully grown and dHvA determined. PrOs_4P_12 is similar to LaOs_4P_12, but LaOs_4P_12 is 4 times heavier than LaOs_4P_12. EuRu_4Sb_12 is a new type of metal. (NMR/NQR)PrOs_4Sb_12 has a superconducting state and a crystal field splitting at P=3.82GPa. The measurement of relaxation time of YbFe_4Sb_12 (below 100K) was discussed. (Photoelectron spectroscopy) The vibration of heavy electron system is shown in SmOs_4Sb_12. The basic knowledge of electron state is insufficient. The number of states between Sm and Sm varies from 2 to 3. The average number of states varies from temperature to temperature. (High pressure measurement) Specific heat measurement technology at high pressure, electrical resistance measurement and simultaneous measurement are possible He is involved in the analysis of crystal structure, the research of higher-order multipole order of PrRu_4P_l2 and the transformation of physical properties under ultra-high pressure. CeRu_4As_12 at room temperature CeOs_4As_12 at room temperature CeRu_4As_12 at 3.3 K A semiconductor with a wavelength of 0.1 nm