半導体融体の超音波物性

半导体熔体的超声波特性

• 批准号: 08226204
• 负责人: 吉本 則之
• 金额: $ 1.02万
• 依托单位: Iwate University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08226204/
• 关键词: 半導体融体; 音速; 超音波; シリコン; 液体構造

本研究では、高精度の測定法によりシリコン融液の音速を測定し、NFE(nearly free electron)モデルに基づく構造因子の計算結果との比較を行うことによりシリコン融液の構造を評価した。これらの実験及び計算から得られた結果は以下のように要約される。(1)高温融体の音速測定に耐え得る装置及び高精度音速測定技術の開発を行い、位相比較法によるシリコン融液音速測定に初めて成功した。(2)シリコン融液の音速は温度の上昇に対して非直線的に増加することが明らかとなった。また、測定した音速から算出した等温圧縮率は、融点から1550℃までの間で温度の上昇と共に減少するという異常を示した。(3)錫及びゲルマニウム融液の音速のデータの比較から、錫、ゲルマニウム、シリコンの順に原子量が小さくなるにしたがって等温圧縮率に見られる異常が大きくなることが明らかとなった。錫融液の弾性的振る舞いは、単純液体金属の振る舞いと一致する。(4)NFEモデルに基づく計算により求められた融点におけるS(0)の値は、ゲルマニウム融液では音速から求められたものとのほぼ一致するのに対し、シリコン融液では音速から求めたS(0)の方が25%程度大きくなった。このことは、NFEモデルでは表現できない何らかの融点近傍における軟化の機構がシリコン融液で実現している可能性を示す。(4)NFEモデルに基づく計算により求められたシリコン融液の等温圧縮率は、温度の増加に対して直線的に増加し、実験から得られたシリコン融液の異常は再現されなかった。(5)以上により、シリコン融液は融点近傍で軟化を示すと考えられる。この軟化は、熱ゆらぎとは異なる原因の新たな密度ゆらぎが融点近傍で起こることによるものと考えられる。

In this study, we will evaluate the structure of the silicone melt by measuring the sound velocity of the silicone melt using a high-precision measurement method and comparing the calculation results of the basic structure factors of the NFE(nearly free electron) sensor. The result of this calculation is the following: (1)The development of high temperature melt sound velocity measurement equipment and high precision sound velocity measurement technology, phase comparison method, and initial success of melt sound velocity measurement (2)The speed of sound in a melt increases in a non-linear manner. Measurement of the speed of sound, calculation of the isothermal contraction rate, melting point, temperature rise, temperature decrease, abnormality (3)Comparison of the Sound Velocity of Tin and Tin Melts with the Atomic Weight of Tin and Tin Melts with the Isothermal Compression Rate The vibration of tin melt and pure liquid metal is consistent. (4)NFE is the basic calculation method for calculating the melting point, S(0) and S(0). This paper shows the possibility of the melt forming in the vicinity of the melt point. (4)NFE calculation of the base temperature of the melt, temperature increase of the melt temperature of the increase in the temperature of the melt abnormal reproduction. (5)The melting point is near the melting point, and the melting point is near the melting point. The reason for this change is that the temperature is low and the temperature is low.

项目成果

N.Yoshimoto et al.: "Sound Velocity Measurements of Molten Germanium" Jpn. J. Appl. Phys.35,5A. 2754-2757 (1996)

N.Yoshimoto 等人：“熔融锗的声速测量”Jpn。

N.Yoshimoto et al.: "Sound Velocity of Molten Silicon" Physica B. 219&220. 623-625 (1996)

N.Yoshimoto 等人：“熔融硅的声速”Physica B.219

N.Yoshimoto et al.: "In situ Observation of Crystal Growth of β-(BEDT-TTF)_2I_3 by Electrochemical Oxidation Method" J. Crystal Growth. 167. 574-579 (1996)

N. Yoshimoto 等人：“通过电化学氧化法原位观察 β-(BEDT-TTF)_2I_3 的晶体生长”J. Crystal Growth 167. 574-579 (1996)

N.Yoshimoto et al.: "Equilibrium State and Crystal Growth of(BEDT-TTF)_2I_3" J. Lowtemperature Phys.105,5/6. 1709-1714 (1996)

N.Yoshimoto 等人：“(BEDT-TTF)_2I_3 的平衡状态和晶体生长”J.LowTemperature Phys.105,5/6。