半充填近傍のスピンギャップと束縛対生成に対するフォノンの効果

声子对半填充邻域中自旋间隙和束缚对生成的影响

基本信息

批准号：
08227205
负责人：
米満賢治
金额：
$ 0.32万
依托单位：
Okazaki National Research Institutes
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

モット転移つまり電子相関の強い系における金属絶縁体転移としては、銅酸化物を含む反強磁性相関の強い2次元層状ペロブスカイト型化合物やマンガン酸化物を含む二重交換とヤーン・テラー効果で特徴づけられる3次元ペロブスカイト型化合物が脚光を浴びている。本研究ではそれと相補的な1次元の有機無機混成系(πd電子系)における金属絶縁体転移とそれに対する電子帯充填率と格子間隔の整合性、電子格子相互作用、低温での3次元性回復の効果を調べた。1次元電子系はフェルミ液体が不安定で金属状態では朝永ラティンジャー液体になっているので、電子相関が本質的である。また1次元電子系ではスケーリング則が成り立つために、解析的な繰込み群の方法が有効である。ここでは(DCNQI)_2M(M=Ag,Cu)のモット転移近傍の電子相と有限温度でのスケーリングの振る舞いを再現することに成功し、Sr_<14-x>Ca_xCu_<24>O_<41>の超伝導が起こる条件に関して考察を行った。前者の物質はM=Agのときには1/4フィリングなのに対し電荷密度波の周期は2であるし、M=Cuのときには1/6フィリングのバンドがあるのに電荷密度波の周期が3であることが確認されている。つまりバンド描像が成り立たない多体電子系でありかつ電子格子相互作用があるために結晶格子は低温で歪んでいる。M=Agのときにラディカルがメチル基であれば1次元性がよく、スピン電荷両者にギャップをもつ広義のスピンパイエルス状態になること、ラディカルがよう素であれば3次元性が無視できず、電荷のみにギャップがあく4k_F電荷密度波になること、そしてそれらの抵抗の温度依存性の定性的振る舞いの違いを、4k_Fフォノンとの結合をいれフォノンを量子的に扱うことで再現した。M=Cuのときは観測されるモット絶縁相を再現するのにやはり4k_Fフォノンとの結合と銅のd軌道の強い相関が必要なことがわかった。後者の物質では粒子粒子チャンネルと粒子正孔チャンネルの対数発散の均衡がとれないと、2鎖梯子系のd波的超伝導が不安定になることを示した。

至于具有强电子相关性的系统中的金属绝缘子过渡，含有铜氧化物的二维层状钙钛矿型化合物和三维钙钛矿型化合物，其特征在于具有双重交换和纱线 - terrer氧化物，包括锰氧化物，包括锰氧化物，引起人们的注意。在这项研究中，我们研究了互补的一维有机无机混合系统（πD电子系统）中的金属绝缘体过渡，以及电子带填充速率和晶格间距，电子晶格相互作用的完整性，以及低温下3D恢复的效果。在一维电子系统中，费米液体是不稳定的，在金属状态下，它变成了tomonaga latinger液体，因此电子相关性至关重要。此外，由于缩放规则在一维电子系统中有效，因此一种分析重新归一化方法是有效的。在这里，我们在（DCNQI）_2M（M = Ag，Cu）的Mott过渡附近成功地复制了电子相，并在有限温度下的缩放行为进行了检查，并检查了SR_ <14-X> ca_xcu_ <24> o__ <41>的SR_ <14-X> ca_xcu_ <24> o_ <41>的超导性的条件。当M = Ag时，前一种材料具有1/4的填充，而电荷密度波的周期为2，当M = Cu时，即使在M = Cu时，电荷密度波的周期为3，即使有1/6填充的频带。换句话说，由于无法进行频带图像和电子晶格的相互作用，在低温下将晶体晶格扭曲。当m = ag时，激进是一维的，并且自旋peier的状态具有广泛的意义，在旋转电荷之间具有差距，如果自由基是碘的，则不能忽略三维的差距，并且单独使用的差距足以通过使用conon和conon的量子来进行量子和量子的差异。当M = Cu时，发现还需要与4K_F声子与铜的D轨道之间的键之间存在很强的相关性来重现观察到的Mott绝缘阶段。在后一种材料中，如果粒子和粒子孔通道的对数差异不平衡，则已经表明，两链梯子系统中的D波超导性变得不稳定。