权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Bi系銅酸化物超伝導体の低温常伝導相の研究

铋基铜酸盐超导体低温常导相研究

基本信息

批准号：
08227212
负责人：
吉崎亮造
金额：
$ 1.15万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08227212/
关键词：
高温超伝導体 Bi-2212 Bi-2201 置換効果磁気抵抗効果

项目摘要

Bi-2201単結晶について、Laをドープすることによりキャリヤ-数を不足側から過剰側まで変化させることに成功し、なお最適ドープ時の超伝導転移温度29Kを達成することが出来た。この試料について低温磁気抵抗効果の測定を行った。ab面内に電流を流したときの磁気抵抗は100K以上で正であり、なお、磁場と電流の相対的な向きに依存しなかった。このことは磁気抵抗効果の主原因がスピンによるものであることを示している。100K以下では超伝導の影響があり、磁気抵抗効果のみを取り出すことが困難であった。一方、c軸方向の面間伝導の磁気抵抗は、100K以上ではやはり正であるが、温度の低下とともに約50K以下で負の磁気抵抗効果を示すようになった。面間磁気抵抗効果も磁場と電流の相対的な向きによらず、スピンが主原因であることを示している。負の磁気抵抗は温度の低下とともに増大した。この磁気抵抗効果の係数の温度依存性をスピン系にギャップが生じることに依るものとして解析したところ、最適ドープの試料についてはギャップの大きさは約85Kであった。不足側、過剰側の試料ともにギャップの大きさは減少した。Bi-2201単結晶の面間電気抵抗の温度依存性について調べた。不足側、過剰側の試料については見かけ上電気抵抗はlog(1/T)の温度依存性を示すが、我々は、磁場による効果の検討、超伝導揺らぎの効果の検討などから真の抵抗はlog(1/T)の温度依存性より急であることを示した。実際、最適ドープの試料では、零磁場での面間電気抵抗はexp(Δ/T)型によく合致することが分かった。この解析から求まったギャップエネルギーΔは、約30K程度であった。

Bi-2201 single crystal について、Laをドープすることによりキャリヤ-Number of を insufficient side から over 剰 side まThe transformation was successful, and the optimum temperature was achieved when the super-conducting temperature was 29K and the optimum temperature was achieved. The measurement of low-temperature magnetic resistance effect of the sample was carried out. The in-plane current flow and magnetic resistance are positive and negative above 100K, and the magnetic field and current are dependent on each other. The main reason for the magnetic resistance effect is the main reason for the magnetic resistance effect. Below 100K, it is difficult to detect the influence of super-conducting and magnetic resistance effects. On the one hand, the magnetic resistance of the inter-plane conduction in the c-axis direction and the resistance of 100K or more are positive and negative. , the temperature is low and the magnetic resistance effect is negative below about 50K. The interfacial magnetic resistance effect is caused by the interaction between the magnetic field and the current. Negative magnetism can resist a drop in temperature and increase its resistance. Temperature dependence of coefficient of magnetic resistance effectてanalytical したところ、optimal ドープのsample についてはギャップの大きさはapproximately 85Kであった. The specimens on the insufficient side and the excessive side are reduced in size. The temperature dependence of the interfacial electric resistance of Bi-2201 single crystal can be adjusted accordingly. The temperature dependence of the sample on the insufficient side and the overpass side is shown in the power-on resistance test log (1/T), and the magnetic field effect is shown. The effect of the effect of the fruit is the log (1/T), the temperature dependence of the log(1/T) is the temperature dependence of the effect. The test result of optimal test specimen, zero magnetic field, inter-surface electric resistance, exp(Δ/T) type test result and test result.このANALYSISからQuestionまったギャップエネルギーΔは, about 30K degree であった.