(金属/絶縁体)不連続人工格子のトンネル型GMRとMFMによる微細磁区構造観察

（金属/绝缘体）利用不连续人工晶格的隧道GMR和MFM观察精细磁畴结构

• 批准号: 09236203
• 负责人: 石尾 俊二
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Akita University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09236203/
• 关键词: 不連続人工格子; AMR; GMR; MFM

(金属/絶縁体)不連続人工格子では、クラスター間の直接・間接強磁性相互作用が弱まり磁化の反平行状態が容易となり高い磁場感受率が得られる。また高電気抵抗媒質中に異方的で規則的クラスター配列が実現できればトンネル型GMRに関する基礎的知見が得られる。またクラスターの磁化状態はMFMによる漏洩磁場の三次元解析によって可能と考えられる。これらの観点から以下の研究を行った。1.(金属/絶縁体)不連続人工格子の作製(金属/絶縁体)不連続人工格子及びグラニュラー薄膜作製のために、多層膜作製用ECRスパッタ装置を自作した。現在Co/Al_2O_3系人工格子及びグラニュラー膜について、各膜厚、組成比を変化した試料を作製し、構造解析、磁化並びに磁気抵抗測定を行っている。2.(金属/金属)三層膜における伝導電子のスピン依存散乱機構金属系人工格子膜のスピン依存電子散乱機構を明らかにすることを目的として、AMRの大きなNiCoに着目し、(Fe/NiCo/Cu/NiCo)誘導フェリ膜、(Cu/NiCo/Cu/NiCo/FeMn/Cu)スピンバルブ膜を作製しGMRとAMRの比較検討を行った。その結果、全てのNiCo系の三層膜でGMRとAMRによる電気伝導率の変化量Δσ_<GMR>とΔσ_<AMR>の間に比例関係が成り立ち、その関係は膜構造あるいは温度によらず成立することから、GMR、AMRのいずれも膜中の構造欠陥を散乱中心としたスピン依存バルク散乱モデルで説明できることを示した。MFMによる不連続人工格子薄膜の磁区観察膜中に分散したクラスターの磁化配列を求めるためには、得られた画像を磁化分布に変換するための伝達関数を明らかにする必要である。その探針を単一磁気双極子として伝達関数を定式化すると共に、実験的に垂直磁気記録媒体を標準試料に用いて伝達関数を求めた。現在クラスターの磁気配列を求めるために、得られた伝達関数を用いた画像変換法を開発中である。

Direct and indirect ferromagnetic interactions between (metal/insulator) unconnected artificial lattices are easy to obtain in the antiparallel state of weak magnetization and high magnetic field susceptibility. The basic knowledge of the relationship between the irregular arrangement and the high resistance medium has been obtained. The magnetization state of the leakage magnetic field is MFM. The following studies were conducted. 1. (metal/insulator) without artificial lattice (metal/insulator) without artificial lattice and thin film manufacturing, multilayer film manufacturing ECR equipment At present, Co/Al_2O_3 system artificial lattice and film thickness, composition ratio, sample preparation, structure analysis, magnetization and magnetic resistance measurement are carried out. 2. (Metal/metal) trilayer film for conducting electron scattering dependent mechanism Metal system artificial lattice film for conducting electron scattering dependent mechanism for conducting electron scattering dependent mechanism for conducting electron scattering dependent mechanism for conducting electron scattering dependent mechanism As a result, the proportional relationship between the change in electrical conductivity Δσ_Δσ_of the NiCo three-layer <GMR>film and the temperature dependence of the film structure is established<AMR>. The magnetic field of the MFM film is not connected to the magnetic field of the artificial lattice film. The magnetization distribution of the dispersion is determined. The magnetization distribution is determined. The probe is a magnetic dipole. The probe is a magnetic dipole. Now, the magnetic field of the image is changed.