2次元磁性超格子のスピンダイナミクスと量子構造によるその変調

本研究の第一目的は、磁性超格子のスピンのゆらぎと、量子構造によるその変調を、ミュオンスピン緩和法(μSR)によって微視的に解明すること、その発展として、μSR法によりスピン選択的な電子波散乱の直接観測の可能性を追及するである。本年度は、これらの準備として、以下の基礎研究を行った。1。固体内スピン偏極電子流とミュオンの相互作用:片面に歪んだGaAs構造[GaAs(0.14μm)/Ga_<0.83>P_<0.17>As(2μm)]を積んだシリコン基板(300μm)の円偏光レーザー光照射下でのμSR実験を行い、波長依存性(770-860nm)および印加電圧依存性(1-3V)から、伝導電子の流れとミュオンの相互作用および歪んだGaAs構造を透過してSi基板まで到達する光の効果についての基礎的知見るが得られ、今後の方針を立てることができた。2.超高真空試料輸送装置の設計:京都大学化研新庄研究室の蒸着および超微細加工装置から、超格子試料を超高真空環境を保持したまたμSR実験のための加速器研究施設(KEK、RIKEN/RAL)へ輸送するための試料輸送装置を完成した。

本研究の第一目的は、磁性超格子のスピンのゆらぎと、量子構造によるその変調を、ミュオンスピン緩和法(μSR)によって微視的に解明すること、その発展として、μSR法によりスピン選択的な電子波散乱の直接観測の可能性を追及するである。本年度は、これらの準備として、以下の基礎研究を行った。1。固体内スピン偏極電子流とミュオンの相互作用:片面に歪んだGaAs構造[GaAs(0.14μm)/Ga_<0.83>P_<0.17>As(2μm)]を積んだシリコン基板(300μm)の円偏光レーザー光照射下でのμSR実験を行い、波長依存性(770-860nm)および印加電圧依存性(1-3V)から、伝導電子の流れとミュオンの相互作用および歪んだGaAs構造を透過してSi基板まで到達する光の効果についての基礎的知見るが得られ、今後の方針を立てることができた。2.超高真空試料輸送装置の設計:京都大学化研新庄研究室の蒸着および超微細加工装置から、超格子試料を超高真空環境を保持したまたμSR実験のための加速器研究施設(KEK、RIKEN/RAL)へ輸送するための試料輸送装置を完成した。