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パターン化単分子膜上での界面電荷情報の増幅による選択的な物質捕捉

通过放大图案单层上的界面电荷信息来选择性捕获物质

基本信息

批准号：
13022219
负责人：
中川勝
金额：
$ 2.3万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2002
项目状态：
已结题

项目摘要

パターン状に区画化された単分子膜が示す界面での物理的・化学的差異を利用したナノサイズの物質修飾法に関する研究が増加している。これは、バイオ・電子素子等の小型化が要求され、その小型化に伴う界面現象の理解ならびに分子レベルでの界面制御技術が必要であるという認識の高まりに由来する。そのような研究背景に基づき、本研究では、接着層としてナノサイズの1次高分子層を利用することで、界面での官能基の増幅や表面電位の増幅等を行い、高解像度の2次集積層の物質固定化技術を確立することを目的とした。光リソグラフィー法を用いた紫外線のマスク露光により、シリカ基板表面にスルフィン酸基を形成する感紫外線単分子膜を作製できた。露光部のスルフィン酸基を活性化処理することで、アミノ基を有する粒子径200nmのポリスチレン微粒子、直径が約2-3nmであるプロピレンイミンデンドリマーを選択的に吸着させることが可能になった。1分子当たりの官能基アミノ基の数が異なる第0世代から第4世代のアミンデンドリマーを基板表面に修飾し、基板表面への露光量と基板の親水化の関係を調べた。その結果、第4世代のデンドリマーを修飾した場合、第0世代に比べ、約30分の1の露光量で、基板表面が親水化する現象を見出し、明らかに基板の親水化の程度とデンドリマーの官能基の数に相関が認められた。デンドリマー修飾に伴う基板表面のゼータ電位変化と基板表面のアミノ基の数の定量を検討した結果、デンドリマー修飾が基板表面修飾に適しており、1次接着層として機能することを確認した。

The physical and chemical differences in the interface between the two molecular films have been studied by using the method of material modification The miniaturization of electronic components is required. The miniaturization of electronic components is accompanied by the understanding of interface phenomena. The interface control technology of molecular components is necessary. Background: This study aims to establish a new technology for the immobilization of high-resolution, second-order polymer layers by using the functional groups and surface potentials. The light emitting diode is used to form a UV sensitive molecular film on the surface of the substrate. Light exposure part of the acid group activation treatment, particle diameter of 200nm, particle diameter of about 2-3nm, particle size of about 2-3 The number of functional groups in a molecule varies from generation 0 to generation 4, and the relationship between substrate surface modification, substrate surface light exposure, and substrate hydrophilicity is adjusted. As a result, the degree of hydrophilicity of the substrate and the number of functional groups of the substrate were recognized in the case of the fourth generation of the substrate modification, the comparison of the fourth generation of the substrate modification, the exposure of about 30 minutes, and the hydrophilic phenomenon of the substrate surface. The surface of the substrate is modified to determine the potential of the substrate.