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時間分解走査型ニアフィールド変調分光と界面ダイナミクスの研究

时间分辨扫描近场调制光谱与界面动力学研究

基本信息

批准号：
14050099
负责人：
玉井尚登
金额：
$ 1.73万
依托单位：
Kwansei Gakuin University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2002
资助国家：
日本
起止时间：
2002 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.導電性高分子系のメゾスコピック構造と励起エネルギー移動電導性高分子ポリフルオレン(PF)誘導体の蛍光SNOM像は,トポ像とほぼ対応した100nm〜数μmのwheelが観測された。これは,高湿度条件で作製した高分子薄膜に共通である。また,MEH-PPVとは対照的に蛍光ダイナミクスの場所による違いが顕著には現れず,PF誘導体では高分子間相互作用が弱いと推測される。一方,PFとMEH-PPV混合薄膜の場合,同様なメゾスコピック構造が観測されると共に励起エネルギー移動によるPF蛍光のdecayに対応したPPV発光のriseが観測された。PFおよびPPVの蛍光像,蛍光減衰曲線の比較から,ほぼ均一に混合しているが局所的に相分離が誘起されている事が示された。2.導電性高分子から酸化チタンへの電子移動酸化チタンペーストから薄膜作製を行いXRD,AFMで熱処理前後の構造解析を行うと共に,MEH-PPVをスピンコートそのダイナミクスの場所依存性を解析した。その結果,(a)熱処理するとナノ微粒子が60〜200nm程度まで会合するが微粒子の結晶(anatase)としてのサイズや結晶状態は変化しないこと,(b)熱処理したTiO_2薄膜の電子移動効率が一番良く,ガラス基盤上とは対照的に場所による蛍光ダイナミクスの差が余り見られないこと,等が明らかになった。これらのことから,熱処理によって増加すると考えられる表面準位等が電子移動に重要な役割を果たしていることが明らかになった。3.SNOMを用いた励起エネルギー移動の距離依存性試料を局所的に励起し,励起エネルギーが試料中をどの程度の距離にわたって移動しているのかを解析できるシステムをNAの大きな油浸対物レンズ(NA=1.4)とSNOMを組みあわせて作製した。この装置を用いて,自己束縛励起子が殆どできないアントラセン微結晶では,励起光の散乱像と蛍光像の比較からエネルギー移動が結晶軸に沿って1〜2μm程度の範囲まで起こっていることを明らかにした。

1. Conductive polymer system optical SNOM image of conductive polymer High humidity conditions are common to polymer films. MEH-PPV is the most important factor in the interaction between PF and polymers. On the other hand, in the case of PF and MEH-PPV hybrid films, the rise of PF and PPV emission is measured in the same way as the rise of PF and PPV emission. PF and PPV optical image, optical attenuation curve comparison, uniform mixing, phase separation, phase separation, phase separation 2. The electron mobility of conductive polymers before and after heat treatment was analyzed by XRD,AFM, and site dependence analysis of MEH-PPV. The results are as follows: (a) the heat treatment results in fine particles ranging from 60 nm to 200nm, and the crystallization of fine particles is changed;(b) the heat treatment results in a better electron mobility of TiO_2 thin films, and the difference between the light intensity and the light intensity on the substrate is changed. The heat treatment process increases the electron movement. 3. The distance dependence of the sample movement caused by the excitation of the SNOM is determined by the analysis of the distance between the sample movement and the SNOM. The device is used to bind the excitation driver to the micro-crystal, and the scattered image of the excitation light is compared with the light image. The crystal axis is moved along the range of 1 ~ 2μm.