スピントロニクス物性研究調整班

勝本グループでは,量子ドットの近藤状態が,特定の干渉計の中で干渉を生じる際に起こるFano近藤効果を,T結合型の量子ドットおよびABリング中に量子ドットを埋め込んだ系において観測した.ABリングの系においては,磁場によって干渉パラメーターを変化させて,あらゆるパラメーターの領域でπ/2へのロックが生じていることを確認した.また,(Ga,Mn)AsからのTHz発光を発見した.松本グループでは酸素圧変調方式を用いてCo:TiO2/TiO2人工格子の界面キャリア注入に成功し,これをXMCDで確認した.瀧田グループでは,(Zn,Cr)Teにおけるドーピング効果を明らかにし,室温強磁性発現に成功すると共に,そのメカニズムについても重要な知見を得た.藤森グループでは,XMCDの手法を駆使し,本調整班他グループとの共同研究で,これまで疑問とされてきた,Co:TiO2やCo:ZnO,また(Ga,Mn)Nの磁性が間違いなく希薄磁性であることを証明した.吉野グループでは,(Ga,Mn)Asの2重障壁構造において電流注入による磁化反転を試み,記録的な低電流閾値での磁化反転に成功した.

勝本グループでは,量子ドットの近藤状態が,特定の干渉計の中で干渉を生じる際に起こるFano近藤効果を,T結合型の量子ドットおよびABリング中に量子ドットを埋め込んだ系において観測した.ABリングの系においては,磁場によって干渉パラメーターを変化させて,あらゆるパラメーターの領域でπ/2へのロックが生じていることを確認した.また,(Ga,Mn)AsからのTHz発光を発見した.松本グループでは酸素圧変調方式を用いてCo:TiO2/TiO2人工格子の界面キャリア注入に成功し,これをXMCDで確認した.瀧田グループでは,(Zn,Cr)Teにおけるドーピング効果を明らかにし,室温強磁性発現に成功すると共に,そのメカニズムについても重要な知見を得た.藤森グループでは,XMCDの手法を駆使し,本調整班他グループとの共同研究で,これまで疑問とされてきた,Co:TiO2やCo:ZnO,また(Ga,Mn)Nの磁性が間違いなく希薄磁性であることを証明した.吉野グループでは,(Ga,Mn)Asの2重障壁構造において電流注入による磁化反転を試み,記録的な低電流閾値での磁化反転に成功した.