充填スクッテルダイト化合物の超音波物性と電子格子相互作用の研究

填充方钴矿化合物的超声特性和电子晶格相互作用研究

基本信息

  • 批准号:
    15072202
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 76.1万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2003
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2003 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1)SmRu_4P_<12>について、特徴的な弾性定数の磁場角度依存性を観測し、この系で実現していると考えられている八極子秩序との関係を論じた。また、軌道角運動を有しないEuRu_4Sb_<12>の弾性定数の磁場中での弾性定数の温度依存性を測定し、充填スクッテルダイト化合物のLS結合描像とjj結合描像の妥当性に関する検討を行った。2)複雑な磁気相図から多極子秩序の可能性が指摘されているTbRu_4P_<12>について、圧力下・磁場中の弾性定数の温度依存性を測定し、顕著な弾性軟化現象とその磁場・圧力依存性を観測した。3)新しい重い電子系カゴ状化合物TbT_2Zn_<20>(T:Co,Ir,Rh)の弾性定数の温度依存性を測定し、この系の結晶場基底状態に関する知見を得た。4)4f電子の存在しないBCS型超伝導体LaOs_4Sb_<12>の超音波実験を行い、ラットリングにともなう超音波分散現象とトンネリングにともなう低温ソフト化を観測した。PrOs_4Sb_<12>とは異なり20mKの極低温でも弾性定数の軟化は続き、この結果から、PrOs_4Sb_<12>ではラットリングやトンネリングの電荷揺らぎが重い電子状態や超伝導に深く関係していることを示した。5)NdOs_4Sb_<12>では2つの異なる温度領域に超音波分散現象を観測し、ラットリングの起源となる非調和性に構造があることを示した。また、ROs_4Sb_<12>のラットリングパラメータτ_0とEの系統的な整理を行い、4f電子の違いによる効果を見いだし、局所振動と伝導電子との結合に加え、4f電子と伝導電子との結合がラットリングに重要な相互作用であることを示した。6)LaFe_4Sb_<12>に対して、剪断モード弾性率C_<44>において、30Kから80Kまでの温度範囲に弾性率の周波数分散が明確に存在することを発見し、ラットリング運動の存在を証明した。7)Type-I立方晶構造を有するクラスレートEu_8Ga_<16>Ge_<30>について、剪断モード弾性率(C_<11>-C_<l2>)/2において、温度50Kから100Kの領域で弾性率の超音波分散を見出した。超音波吸収係数の温度依存性に明確な分散を観測し、本物質におけるラットリング運動の存在を強く示唆する結果を得た。
1) SmRu_4P_2<12>, the magnetic field angle dependence of the characteristic constants, and the relationship between the octupole order and the system are discussed. Determination <12>of temperature dependence of property constants in magnetic field of Ru_4Sb_and orbital angular motion, and discussion of the suitability of LS binding imaging and jj binding imaging of filling compounds 2)The possibility of multipole order in complex magnetic phase transition was investigated by TbRu_4P_<12>test. The temperature dependence of the stability in magnetic field under high pressure was determined. The magnetic field and pressure dependence of magnetic softening phenomenon was measured. 3)The <20>temperature dependence of the properties of the new heavy electron system TbT_2Zn_ (T:Co,Ir,Rh) was determined and the relationship between the crystal field base state of the system and the temperature dependence was obtained. 4) The existence of 4f electrons in BCS-type ultrasonic conductor LaOs_4Sb_and the measurement of <12>ultrasonic dispersion phenomenon in low temperature. PrOs_4Sb_<12>(2)_(3)_(4)_(4_)_<12>( 5)NdOs_4Sb_<12>(2) The ultrasonic dispersion phenomenon in different temperature fields is measured, and the origin of ultrasonic dispersion and non-harmonic structure is shown. For example, ROs_4Sb_s_n_n_s_n_s_n_n_s_n_s_n_<12>n 6)LaFe_4Sb_<12>(2 +), shear rate C_(2 +), temperature range C_(3 +), temperature range C_(2 +), temperature range C_(3 +), temperature range <44>C 7)Type-I cubic crystal structure has the following properties: <16><30>(C_<11>-C_<l2>)/2, Eu_8Ga_ Ge_, shear rate, ultrasonic dispersion, and temperature range from 50K to 100K. The temperature dependence of the ultrasonic absorption coefficient is clearly measured, and the existence of strong motion of the substance is strongly indicated.

项目成果

期刊论文数量(400)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Coupling between conduction electrons and elastic waves in PrOs_4Sb_<12>
PrOs_4Sb_<12>中传导电子与弹性波的耦合
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y.Nananishi;M.Oikawa T.Kumagai;H.Sugawara;H.Sato;M.Yoshizawa
  • 通讯作者:
    M.Yoshizawa
低温超音波計測による酸化熱処理FZシリコン結晶の原子空孔観測
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡邊肇;後藤輝孝;金田寛;根本祐一;昆金正敏;柳澤達也;中村慎太郎
  • 通讯作者:
    中村慎太郎
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    荒木幸治;後藤輝孝;根本祐一;柳澤達也;Bruno Luthi
  • 通讯作者:
    Bruno Luthi
中性子非弾性散乱法によるカゴ状物質R_3Pd_<20>Si_6(R=Ce, Pr)の結晶場励起II
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    北澤英明;Andreas Doenni;Matus Mihalik;松田雅昌;金子耕士;目時直人;加倉井和久;小林陽樹;根本祐一;後藤輝孝
  • 通讯作者:
    後藤輝孝
Quadrupole Ordering in Clathrate Compound Ce_3Pd_20Si_6
笼形化合物 Ce_3Pd_20Si_6 中的四极有序
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Nemoto;H. Kobayashi S. Tsuduku;T. Watanabe;T. Yanagisawa;O. Suzuki;T. Goto;N. Takeda;A. Donni;and H. Kitazawa
  • 通讯作者:
    and H. Kitazawa
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  • 发表时间:
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  • 通讯作者:
    石田 武和

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