10GPa級高圧力下、超強磁場下の有機伝導体の新物性

10 GPa级高压超强磁场下有机导体新物理性能

• 批准号: 15073220
• 负责人: 村田 惠三
• 金额: $ 47.04万
• 依托单位: Osaka City University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2003 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15073220/
• 关键词: 強相関電子系; 有機導体; 分子性固体; 低温物; 物性実験; 分子性個体

本研究では数GPa-10 GPa級の圧力域に重点を置き、磁場と組み合わせて有機物における物性開拓と統一理解を研究目標とした。紙面の都合で4つの成果に限る。1)κ-(Me-DH-TTP)_2AsF_6縮小□電子系で電子相関を増大させ金属-絶縁体転移における量子臨界点の議論を行った。κ型は結晶構造から2量体化していると思われるが、2量体エネルギーが他のκ型に比べて1/10で電荷移動も3/4充填の系と思われることから、絶縁相は電荷秩序と思われ、現在(2009年)でも未解決の興味深い問題点を残した。2)(TTM-TTP)I_3は1次元1/2充填Mott-Hubbard系であり、圧力による金属化を試みた。Mott絶縁体における鎖間相互作用の重要さの問題として、理論家の興味を引いた。3)杉本塩、pi-d相互作用に基づく新物性が期待できる擬二次元伝導体beta″-(EDO-TTFVO)_2 FeCl_4において、T<3K, H>8Tで磁場誘起相転移を発見し、H>17Tではシュブニコフ-ドハース振動の観測に成功した。□-d系有機伝導体(EDT-DSDTFVSDS)_2FeBr_4のスピンフロップに伴う磁気抵抗の巨大異常とGaBr_4塩の物性との比較による□-d相互作用を詳細に調べることができた。4)TTF-TCNQとTSeF-TCNQの温度圧力相図の作成と物性測定を行った。TTF-TCNQの電荷密度波の研究では30年前の3GPaまでの測定を再現した。今回、8GPaまでの研究をすすめ、電荷移動に伴うCDWが圧力とともに不整合=>整合=>不整合と変遷して低温までの金属化していく様子が明瞭に示された。さらに、類型のTSeF-TCNQについての研究を進め、TTF-TCNQより低い圧力で、金属化に成功した。電気抵抗の温度の冪の圧力変化から揺らぎ伝導の特異な性質が明らかになった。

This study focuses on GPa-10 GPa pressure domain, magnetic field and organic matter, and develops a unified understanding of physical properties. The paper is all closed and the results are limited. 1)κ-(Me-DH-TTP)_2AsF_6 reduces the electron system, increases the electron correlation, and discusses the quantum critical point of metal-insulator transition. K-type crystal structure: 1/10 charge transfer ratio: 3/4 charge transfer ratio: 1/10 charge transfer ratio: 1/10 charge transfer ratio: 3/4 charge transfer ratio: 1/10 charge transfer ratio: 1 charge transfer ratio: 1/10 charge transfer ratio: 1 charge transfer ratio: 1/10 charge transfer ratio: 1 charge transfer ratio: 1 charge transfer ratio: 2)(TTM-TTP)I_3 1/2 filling Mott-Hubbard system, pressure Mott's theory is an interesting topic for theorists. 3)A new physical property of the quasi-quadratic conductor beta "-(EDO-TTFVO)_2 FeCl_4 is expected to be obtained from the interaction between the substrate and the pi-d system. The phase shift induced by magnetic field at T<3K, H>8T is detected and the vibration at H>17T is successfully measured. A detailed study on the interaction between FeBr_4 and GaBr_4 is presented in this paper. 4)TTF-TCNQ and TSeF-TCNQ temperature and pressure phase transition and physical properties determination. The charge density wave of TTF-TCNQ was measured 30 years ago. Now, 8GPa research shows that charge transfer is accompanied by CDW pressure, unconformity => conformity => unconformity, and metallization at low temperatures. In addition, the type of TSeF-TCNQ research progress, TTF-TCNQ low pressure, metallization success The temperature and pressure variation of the electrical resistance are different from those of the electrical conduction.

项目成果

High Pressure Properties of tau-type Conductor up to 8 GPa

tau 型导体的高压特性高达 8 GPa

• 发表时间: 2007
• 作者: T. Nakanishi;S. Arumugam;H. Yoshino;G. A. Anifantis;G. C. Papavassiliou;K. Murata
• 通讯作者: K. Murata

High-Pressure Study up to 8.0 GPa of Quasi-One-Dimensional OrganicConductor, TTP-TCNQ

准一维有机导体 TTP-TCNQ 高达 8.0 GPa 的高压研究

• 发表时间: 2006
• 作者: S. Yasuzuka;K. Murata;H. Yoshino;T. Fujimoto;R. Kato
• 通讯作者: R. Kato

Superconductivity on the Verge of Destruction of the Upper Charge-Density-WavePhase in NbSe_3

NbSe_3 上部电荷密度波相超导性濒临破坏

• 发表时间: 2006
• 作者: S. Yasuzuka;K. Murata;T. Fujimoto;M. Shimotori;K. Yamaya
• 通讯作者: K. Yamaya

Anomalous Insulating State in Organic π-d system (EDT-TTFVO)_2FeBr_4Under pressure, up to 10 GPa

有机π-d系统中的反常绝缘态(EDT-TTFVO)_2FeBr_4在压力下，高达10 GPa

• 发表时间: 2006
• 作者: T. Fujimoto;S. Yasuzuka;K. Yokogawa;H. Yoshino;T. Hayashi;T. Hiraoka;H. Fujiwara;T. Sugimoto;M. Hedo;Y. Uwatoko;Keizo Murat
• 通讯作者: Keizo Murat

1次元ハーフワイルドバンドをもつ(TTM-TP)I3の金属一絶縁体転移の圧力効果

一维半野带(TTM-TP) I3金属-绝缘体转变的压力效应

• 发表时间: 2005
• 作者: 安塚周磨;藤本勉;霜鳥雅博;村田恵三;川本正;森健彦
• 通讯作者: 森健彦