高密度レーザー光子場におけるフォノンダイナミクスとその制御
高密度レーザー光子場におけるフォノンダイナミクスとその制御
批准号:
16032218
负责人:
北島 正弘
金额:
$4.99万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2005
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固体における構造相転移はX線散乱や中性子散乱により研究が行われており、特に"ソフトフォノンモード"のダイナミクスについてはラマン散乱分光によってこれまで研究されている。このようなソフトモードの周波数は通常極めて低い。さらに格子温度が転移温度Tc近辺では"0"に接近するため、相転移の研究は周波数領域での分光を用いた場合、実験上問題がある。一方、時間領域分光はこのような低周波数のフォノンモードの測定を原理的に可能にする点、都合がよい。加えて、時間領域測定は通常の周波数領域の方法では難しい、高密度光励起(ポンプパワー>mJ/cm^2)による非熱的相転移の観測・制御も原理的には可能である。そこで本研究では、強誘電体物質における構造相転移ダイナミクスを探るため、フェムト秒ポンプープローブ反射率測定を用いてPb_<1-x>Ge_xTe(x=0.07)のコヒーレントソフトモードの観察を行った。特に励起パワー依存性について詳しく調べた。時間分解反射率測定はフェムト秒増幅パルスレーザーによるポンプープローブ法によって行った。モードロックチタンサファイアレーザーの出力は再生増幅器で増幅され、繰り返し速度は100KHz、パルス幅は<140fsであった。レーザーパルスの中心エネルギーは1.55eV(波長800nm)であった。励起パワーが増加するに従い電子の応答成分は大きくなる一方、コヒーレントフォノンからの応答は徐々に弱くかつブロードになっていった。観察されたA_1モード周波数(ω_1)は低パワーでの0.86THzから、ポンプパワーの増加に伴い0.57THzへと明らかに減少した。観察されたフォノンソフニングは、高密度側の励起に飽和挙動が見られることから、電子・フォノン結合に起因するものと推察される。一方、観測された減衰速度はラマン測定による熱励起フォノンと比べると圧倒的大きかった。また、周波数と比較すると、減衰速度は対応する周波数の観測値より相当大きいことが分かった。これはコヒーレントA_1フォノンのover-damping(振動が1周期終える前に減衰する挙動)である。これは"環境"との強い結合の存在を示しており、Pb_<1-x>Ge_xTeにおけるフォノンの位相緩和は非調和フォノン-フォノン結合に支配されていると結論できる。
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Reply : Coherent phonons : electronic softening or anharmonicity?
回复: 相干声子:电子软化还是非谐性?
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Phy.Rev.Lett 93(10)
影响因子:
--
作者:
[M.Hase, M.Kitajima, S.Nakashima]
通讯作者:
S.Nakashima
DOI:
10.1134/1.2142870
发表时间:
2005-10
期刊:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters
影响因子:
--
作者:
[O. Misochko;M. Hase;K. Ishioka;M. Kitajima]
通讯作者:
O. Misochko;M. Hase;K. Ishioka;M. Kitajima
Spectrally filtered time domain study of coherentphonons in semimetals
半金属中相干声子的光谱滤波时域研究
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
J.Phys.: Condens.Matter 16
影响因子:
--
作者:
[O.V.Misochko, M.Hase, M.Kitajima]
通讯作者:
M.Kitajima
In situ spectroscopic measurement of structural change in SiO2 during femtosecond laser irradiation
飞秒激光照射过程中 SiO2 结构变化的原位光谱测量
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Appl.Phys.A 79
影响因子:
--
作者:
[N.Fukata, Y.Yamamoto, K.Murakami, M.Hase, M.Kitajima]
通讯作者:
M.Kitajima
Optical Imaging of Defect Density Distribution in Ion-Implanted GaAs using Ultrafast Carrier Dynamics
使用超快载流子动力学对离子注入 GaAs 中的缺陷密度分布进行光学成像
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics 43(1)
影响因子:
--
作者:
[Y.Fujii, K.Horiuchi, F.Kannari, M.Hase, M.Kitajima]
通讯作者:
M.Kitajima
共 18 条
超短時間領域における電子・フォノン間結合の研究
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批准号:18340093
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$9.01万
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财政年份:2006
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负责人:北島 正弘
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依托单位:
高密度レーザー光子場におけるフォノン制御
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批准号:15035219
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.43万
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财政年份:2003
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负责人:北島 正弘
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依托单位:
海外基金