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分子性金属錯体半導体の可塑性導入による機能探索

将可塑性引入分子金属络合物半导体中进行功能探索

基本信息

批准号：
18028003
负责人：
野呂真一郎
金额：
$ 2.56万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2007
项目状态：
已结题

项目摘要

有機薄膜トランジスタ(organic thin-film transistor(OTFT))は、シリコンを中心とする無機半導体をベースとした既存のトランジスタでは容易に実現できない優れた特徴(分子の多様性・機械的フレキシビリティー・シンプルな作成プロセス・大面積化・低温プロセス・ローコスト)を有するため次世代エレクトロニクス素子として注目されている。本研究では、高性能TFT特性(高移動度、アンバイポーラー特性)を示す分子性金属錯体半導体の探索及び長鎖アルキル・アルコキシル基導入に伴う(1)湿式及び溶融法による低環境負荷型TFTデバイスの作製及びその特性評価(2)多極小ポテンシャルを利用したTFTデバイスと熱相転移誘起スイッチングの複合機能材料の構築に関して検討を行った。その結果、以下のような成果を得た。(1)酸化還元両性配位子であるο-セミキノネートが配位した中性金属錯体が、ホール・電子共にバランスの取れた高移動度を示すことを証明した。観測された移動度は、過去に報告されている単一成分アンバイポーラー特性を示す半導体と比較してトップレベルの値を示した。(2)長鎖アルキル基を導入した金属錯体半導体のTFT特性について検討を行った。Ptイオンに長鎖アルキル基がついたビピリジン配位子及びο-キノン配位子が配位した金属錯体のアルキル鎖長依存性について検討を行った結果、C_<13>H_<27>の置換基を持った錯体ではp型の半導体特性が観測されたのに対し、C_9H_<19>の置換基を持った錯体ではTFT特性が全く観測されなかった。原因として、鎖長が短くなることによる薄膜構造の不安定化が示唆された。

Organic thin-film transistor(OTFT) is an organic thin film transistor that can be easily realized in the center of an inorganic semiconductor and has excellent characteristics such as molecular diversity, mechanical properties, large-area, low-temperature, and low-temperature properties. In this paper, the characteristics of high performance TFT are studied (1) Fabrication and characterization of low environmental load TFTs by wet and thermal melt methods;(2) Construction of composite functional materials using multi-dimensional TFTs and thermal phase shift inducers. The following results were obtained. (1)This is a demonstration of the high mobility of acidified ligand complexes and neutral metal complexes. Measurement of mobility, past reports of a component, characteristics of semiconductor and comparison of values (2)The characteristics of TFTs with metal semiconductor are discussed in detail. The results of the study on the length dependence of Pt ligand and C9H ligand on metal complexes show that the characteristics <13><27>of p-type semiconductors and TFT with C9H <19>substituent on metal complexes are completely investigated. The reason is that the film structure is unstable due to the short length of the lock.