DT中性子計測への応用をめざしたCVD単結晶ダイヤモンド厚膜の合成と評価

用于 DT 中子测量的 CVD 单晶金刚石厚膜的合成和评估

基本信息

  • 批准号:
    18035001
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.46万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

今年度は人工ダイヤモンド放射線検出器実現を目指し、CVD単結晶ダイヤモンド厚膜の合成と評価を行った。高圧高温合成Ib型基板を使用し、800度・1100度、80Torr・110Torrの4点でダイヤモンドを合成した。合成の主目的はダイヤモンドの{111}面の成長率と{100}面の成長率の比であるα値の把握である。α値によって結晶のモルフォロジーや不純物の取り込みに大きな違いが生じることが知られている。合成したダイヤモンドのα値は1.6〜4.9に分布した。ラマン分光の結果、全ての試料でダイヤモンドのsp^3結合によるピークが観測された。800度で合成した試料についてはグラファイト成分、窒素と空孔のペアによるNV発光が観測された。また、これら二つの試料については、結晶表面上に平行電極を蒸着により製作し印加電圧をかけた状態でα線を入射させた。この結果、α線により生成した電荷キャリアのドリフトにより信号が出ることを確認した。さらに、高品質なダイヤモンドの合成を目指し、800度、110Torr、メタン濃度1%での合成をおこなった。その結果、ラマン分光ではグラファイト、NV発光は観測されなかったが、多結晶体的な表面形態をもった結晶であり、α線測定については漏れ電流が大きく信号が出なかった。今年度の研究の結果、α値3〜4の範囲を集中的にサーベイを行なう必要があるとの結論に至った。次年度以降は低メタン濃度における長時間合成を行なっていく。
Our は artificial ダ イ ヤ モ ン ド radiation 検 extractor be presently を refers し, CVD 単 crystallization ダ イ ヤ モ ン ド thick film と の synthesis evaluation 価 を line っ た. The Ib type substrate is synthesized under high pressure and high temperature を using を, 800 ° C · 1100 ° C, 80Torr · 110Torr <s:1> 4 points でダ ヤモ ヤモ ドを ドを to synthesize <s:1> た. The main objective of synthesizing <s:1> is to <s:1> ダ ヤモ ヤモ ド ド ド <s:1> the growth rate of the {111} plane <s:1> と the growth rate of the {100} plane <s:1> is to grasp である compared with the であるα value <e:1>. Alpha numerical に よ っ て crystallization の モ ル フ ォ ロ ジ ー や impurity content の take り 込 み に big き な violations い が raw じ る こ と が know ら れ て い る. Synthesize the ド たダ ヤモ ヤモ ド ド <s:1> α value ヤモ 1.6 to 4.9に distribution た た. The spectrophotometric <e:1> results of ラ and <s:1> are combined with the full て <e:1> sample でダ でダ ヤモ <e:1> ド <e:1> <e:1> sp^3 for によるピ and が観 が観 が観 が観 measurement された. 800 degrees で synthetic し た sample に つ い て は グ ラ フ ァ イ ト composition, smothering と empty hole の ペ ア に よ る NV 発 light が 観 measuring さ れ た. ま た, こ れ ら two つ の sample に つ い て に は, crystal surface parallel electrodes を steamed に よ り production し Inca 圧 を か け た state で alpha line を incident さ せ た. The <s:1> <s:1> result, the α line によ た generates the <s:1> た charge キャリア the ドリフトによ た signal が out る the とを とを confirm the た. さ ら に, high-quality な ダ イ ヤ モ ン ド の synthetic を refers し, 800 degrees, 110 torr, メ タ ン concentration 1% で の synthetic を お こ な っ た. そ の results, ラ マ ン spectral で は グ ラ フ ァ イ ト, NV 発 light は 観 measuring さ れ な か っ た が, many crystals な surface morphology を も っ た crystallization で あ り, determination of alpha line に つ い て は れ leakage currents が き く signal が out な か っ た. The results of the <s:1> research <e:1> of this year, the にサ にサ ベ ベ <s:1> を を を なう なう necessary があると <e:1> conclusion に in the 囲を set of α values 3 to 4 囲を ranges に to った. From the following year onwards, <s:1> low メタ <s:1> concentration における for a long time to synthesize を rows なって く く.

项目成果

期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Measurement of charge carriers' dynamics in diamond thin films by a fast TOF system using a UV pulsed Laser
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J. H. Kaneko;T. Teraji;T. Imai;et. al.
  • 通讯作者:
    et. al.
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y.Oshiki;J.H.Kaneko;F.Fujita;K.Hayashi;K.Meguro;A.Homma;S.Kawamura;Y.Yokota;Y.Yamamoto;K.Kobashi;T.Imai;T.Sawamura;M.Furusaka
  • 通讯作者:
    M.Furusaka
Development of a TOF measurement system of Charge carrier dynamics in diamond thin films using a UV pulsed laser
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    F.Fujita;Y.Oshiki;J.H.Kaneko;A.Homma;K.Tsuji;K.Meguro;Y.Yamamoto;T.Imai;K.Watanabe;T.Teraji;M.Furusaka
  • 通讯作者:
    M.Furusaka
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