DT中性子計測への応用をめざしたCVD単結晶ダイヤモンド厚膜の合成と評価
用于 DT 中子测量的 CVD 单晶金刚石厚膜的合成和评估
基本信息
- 批准号:18035001
- 负责人:
- 金额:$ 11.46万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2007
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
今年度は人工ダイヤモンド放射線検出器実現を目指し、CVD単結晶ダイヤモンド厚膜の合成と評価を行った。高圧高温合成Ib型基板を使用し、800度・1100度、80Torr・110Torrの4点でダイヤモンドを合成した。合成の主目的はダイヤモンドの{111}面の成長率と{100}面の成長率の比であるα値の把握である。α値によって結晶のモルフォロジーや不純物の取り込みに大きな違いが生じることが知られている。合成したダイヤモンドのα値は1.6〜4.9に分布した。ラマン分光の結果、全ての試料でダイヤモンドのsp^3結合によるピークが観測された。800度で合成した試料についてはグラファイト成分、窒素と空孔のペアによるNV発光が観測された。また、これら二つの試料については、結晶表面上に平行電極を蒸着により製作し印加電圧をかけた状態でα線を入射させた。この結果、α線により生成した電荷キャリアのドリフトにより信号が出ることを確認した。さらに、高品質なダイヤモンドの合成を目指し、800度、110Torr、メタン濃度1%での合成をおこなった。その結果、ラマン分光ではグラファイト、NV発光は観測されなかったが、多結晶体的な表面形態をもった結晶であり、α線測定については漏れ電流が大きく信号が出なかった。今年度の研究の結果、α値3〜4の範囲を集中的にサーベイを行なう必要があるとの結論に至った。次年度以降は低メタン濃度における長時間合成を行なっていく。
This year, the artificial radiation device shows that the target and CVD results show that the thick film synthesis is very effective. High temperature synthesis Ib substrate "use", 800C 1100 °, 80Torr ·110Torr 4 o'clock. The growth rate of {111} and {100} is better than that of α. The results of the α-ray test show that the material is not available in the system, and that the students are aware of the problem. Synthesize the distribution of α, α, 1.6, 4.9 and so on. The results of the spectroscopic test, the full range of materials, and the combination of experimental data and experimental data are in combination with each other. The composition, asphyxiant, hollow hole, NV light, asphyxiate, asphyxiate, as The thermal and mechanical materials are used to measure the temperature, and the parallel electrodes on the surface of the crystal are used to vaporize the electrodes to make the India and Canada electronic devices. The result of the test results, the alpha level generates a negative load response signal to send out the alarm confirmation signal. High quality, high quality The results of the experiment, the results of the spectroscopic analysis, the NV optical microscope, the surface morphology test of the polymetallic crystal, the crystal test, the alpha line measurement, the leakage current and the signal of the leakage current are out of order. The results of this year's study, the results of this year's research results, the results of this year's study, the results of this year's research results, the results of this year In the next year, we will reduce the temperature of the bank over a long period of time.
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Measurement of charge carriers' dynamics in diamond thin films by a fast TOF system using a UV pulsed Laser
使用紫外脉冲激光通过快速 TOF 系统测量金刚石薄膜中载流子的动态
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Oshiki;J. H. Kaneko;F. Fujita;et. al.
- 通讯作者:et. al.
Development of layered type single crystalline diamond radiation detector as an energy spectrometer
作为能谱仪的层状单晶金刚石辐射探测器的研制
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J. H. Kaneko;T. Teraji;T. Imai;et. al.
- 通讯作者:et. al.
Saturation drift velocity measurement for CVD diamond by combination of a charge distribution measurement and a TOF method using a UV pulsed laser
使用 UV 脉冲激光结合电荷分布测量和 TOF 方法测量 CVD 金刚石的饱和漂移速度
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y.Oshiki;J.H.Kaneko;F.Fujita;K.Hayashi;K.Meguro;A.Homma;S.Kawamura;Y.Yokota;Y.Yamamoto;K.Kobashi;T.Imai;T.Sawamura;M.Furusaka
- 通讯作者:M.Furusaka
Development of a TOF measurement system of Charge carrier dynamics in diamond thin films using a UV pulsed laser
使用紫外脉冲激光开发金刚石薄膜中载流子动力学的 TOF 测量系统
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:F.Fujita;Y.Oshiki;J.H.Kaneko;A.Homma;K.Tsuji;K.Meguro;Y.Yamamoto;T.Imai;K.Watanabe;T.Teraji;M.Furusaka
- 通讯作者:M.Furusaka
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