权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

新しい引力機構に基づくPr系超伝導相の究明

基于新吸引机制的镨基超导相研究

基本信息

批准号：
20029018
负责人：
青木勇二
金额：
$ 3.07万
依托单位：
Tokyo Metropolitan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至 2009
项目状态：
已结题

项目摘要

f電子の四極子(軌道)揺らぎに起因して、非従来型の超伝導相が実現していると期待される充填スクッテルダイトPrOs_4Sb_<12>重い電子超伝導体において、超純良単結晶試料をベースに、下記の2種類の実験を行い、この超伝導相の対形成機構の解明に迫る研究を推進し、下記の成果を得た。1. 結晶場励起とラトリング原子振動のエネルギー交差の発見OsサイトをRuで部分的に置換したPr(Os_<1-x>Ru_x)_4Sb_<12>において、結晶場励起エネルギーとラトリング原子振動エネルギーが中間濃度で交差する現象を見出した。この両者の励起が結合した新たなタイプの励起が発現している可能性がある。交差が起こる物質が限られているため、この現象に関する実験研究は過去にほとんどなく、本物質系は貴重な研究の場を提供している。今後、中性子非弾性散乱などにより調べて行く予定である。また、この交差濃度で超伝導転移温度が最小値を持つことから、超伝導との相関を明らかにしていくことも重要である。2. Prサイト充填率の4f電子状態および超伝導特性への影響超伝導体PrOs_4Sb_<12>の試料育成条件を変えることにより、Prサイトの充填率を制御できることを明らかにしてきた。この特性を利用して、Prサイト充填率の異なる試料を系統的に育成し、超伝導特性や各種物性測定を行った結果を整理し論文にまとめた。主たる成果は、(1) Prイオンの4f電子の結晶場第一励起状態のエネルギー準位が、Prサイト充填率に依存して大きく変化すること、および、(2)この結晶場励起エネルギーと超伝導転移温度に相関が見られること、である。

The research on the mechanism of formation of superconductivity and superconductivity of electron quadrupole (orbit) is advanced and <12>the results are obtained. 1. The phenomenon of crystal field excitation, atomic vibration generation and cross difference in intermediate concentration was found in Pr(Os_<1-x>Ru_x)_4Sb_<12>x. The possibility of the emergence of a new incentive is high. The material is limited to the past, the phenomenon is related to the research, the material is valuable to the research field From now on, neutral children are not scattered. The minimum value of the transition temperature is determined by the correlation between the transition concentration and the transition temperature. 2. The influence of 4f electron state and superconductivity on the growth condition of superconductor PrOs_4Sb_<12>sample The characteristics of these materials are utilized, and the filling ratio of these materials is different. The results of these materials are systematically developed, and the conductivity of these materials is determined. The main results are as follows: (1) the first excitation state of Pr_(1) electron crystal field depends on the filling rate of Pr_(2) the first excitation state of Pr_(1) electron crystal field depends on the transition temperature of Pr_(2) electron crystal field.

项目成果

期刊论文数量（21）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Transport properties of PrxO_<S4>Sb_<12> single crystals with high Pr-site filling fraction grown under high pressure

高压生长的高Pr位填充率PrxO_<S4>Sb_<12>单晶的输运特性

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
PhysicaB 404
影响因子：
0
作者：
K.Tanaka;他7名
通讯作者：
他7名

Transport properties of PrxOs_4Sb_<12> single crystals with high Pr-site filling fraction grown under high pressure

高压生长的高Pr位填充率PrxOs_4Sb_<12>单晶的输运特性

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Tanaka;他7名
通讯作者：
他7名

Crystal Field Effect on Superconducting Transition in Pr_xOs_4Sb_<12>

Pr_xOs_4Sb_<12>中超导转变的晶体场效应

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
J.Phys.Soc.Jpn. 78
影响因子：
0
作者：
K.Tanaka;H.Sato;et al.
通讯作者：
et al.

充填スクッテルダイト超伝導体Pr(Os_<1-x>Ru_x)_4Sb_<12>の高温比熱測定

填充方钴矿超导体Pr(Os_<1-x>Ru_x)_4Sb_<12>的高温比热测量

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
宮崎亮一;他3名
通讯作者：
他3名

Excitation spectrum of PrOs_4Sb_<12> under a magnetic field

PrOs_4Sb_<12>在磁场下的激发谱

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
J.Phys. : Condens.Matter 21
影响因子：
0
作者：
S.Raymond;K.Iwasa;他
通讯作者：
他

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

青木勇二其他文献

高圧合成により作成されたPrFe4Sb12の非弾性中性子散乱

高压合成产生的 PrFe4Sb12 的非弹性中子散射

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎
通讯作者：
桑原慶太郎

CeOs4Sb12単結晶における低温秩序相の磁気異方性

CeOs4Sb12单晶低温有序相的磁各向异性

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔;池生剛;齎藤隆志;菊地大輔;戸田静香
通讯作者：
戸田静香

充填スクッテルダイトRFe4As12の高圧下結晶育成と物性

填充方钴矿RFe4As12的高压晶体生长及物理性质

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔
通讯作者：
龍岡翔

強磁性近藤格子SmFe4P12のフェルミ面と電子輸送特性

铁磁近藤晶格SmFe4P12的费米表面和电子传输特性

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔;池生剛;齎藤隆志;菊地大輔
通讯作者：
菊地大輔

Spontaneous Formation of Vanadium "Molecules" in a Geometrically Frustrated Crystal : AlV204

几何受挫晶体中钒“分子”的自发形成：AlV204

DOI：
发表时间：
2006
期刊：
Physical Review Letters 96
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔;池生剛;齎藤隆志;菊地大輔;戸田静香;池生剛;龍罔翔;Masafumi Udagawa;D.Tahara;H.Seo;K.Matsuda;D.Phelan;Y.Horibe
通讯作者：
Y.Horibe