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誘電体ヘテロ界面に蓄積された二次元電子ガスの電子状態と量子サイズ効果の起源

介电异质界面处积累的二维电子气的电子态起源和量子尺寸效应

基本信息

批准号：
20047007
负责人：
太田裕道
金额：
$ 3.07万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至 2009
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20047007/
关键词：
二次元電子ガス電界変調 Seebeck係数電子状態量子サイズ効果

项目摘要

本公募研究の目的は、(1)誘電体人工超格子やヘテロ酸化物界面近傍に誘起される二次元電子ガスの電子状態と量子サイズ効果の相関を明らかにすること、(2)誘電体中の二次元電子ガスを積極的に活用した機能材料設計指針を提案することである。二次元電子ガス近傍の原子・電子状態を高いエネルギー分解能で捉えることにより、巨大Seebeck係数のオリジンを解き明かし、誘電体中の二次元電子ガスを積極的に活用した材料設計指針を提案することが可能と考えている。SrTiO_3/SrTi_<0.8>Nb_<0.2>O_3人工超格子やTiO_2/SrTiO_3などの誘電体ヘテロ界面のSrTiO_31単位格子層(0.3905nm)に局在化した高濃度の電子ガスは、バルクの5倍に相当する巨大熱起電力(Seebeck係数)を示すことから、未だ実現していない酸化物熱電変換材料のひとつの開発指針として注目されている。Seebeck係数の大きさは、フェルミエネルギーにおける伝導帯状態密度(DOS(E))のエネルギー微分(∂DOS(E)/∂E)に依存するため、量子サイズ効果によるDOS(E)の増大が巨大熱起電力の起源と考えられている。また、Seebeck係数は伝導電子濃度の関数であるため、伝導電子濃度を連続的に変化させながらSeebeck係数を計測することでDOS(E)の情報を得ることができる。平成21年度は、誘電体ヘテロ界面の電子濃度を連続的に変化させるため誘電体をチャネルとした電界効果トランジスタを作製し、絶縁体/SrTiO_3および絶縁体/KTaO_3ヘテロ界面のSeebeck係数の電界変調に成功した。

The objectives of this research are: (1) to provide guidelines for the design of functional materials for the active use of quadratic electrons in electroconductors, and (2) to provide guidance for the correlation between the electronic states and quantum effects induced near the interface of electroconductors and artificial superlattices. The atomic and electronic states of the quadratic electron are high in energy, and the Seebeck coefficient is high in energy. The quadratic electron in the dielectric is active in material design. SrTiO_3/SrTi_<0.8>Nb_<0.2>O_3 artificial superlattice TiO_2/SrTiO_3 dielectric interface SrTiO_31 unit lattice layer (0.3905nm) is partially crystallized, high concentration of electrons, 5 times the Seebeck coefficient, which indicates that the thermal power (Seebeck coefficient) is very large. The large Seebeck coefficient depends on the differential (DOS(E)/E) of the density of states (DOS(E)) of the conduction band, and the increase in DOS(E) due to the quantum support effect. This is the origin and examination of huge thermal power. The Seebeck coefficient is the correlation between the conduction electron concentration and DOS(E). In 2001, Seebeck coefficient of dielectric/SrTiO_3 and dielectric/KTaO_3 interfaces was successfully adjusted.