高分解能電子分光・電子回析など電子・陽電子プローブによる表面研究

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1.HREELSの経常分解能3.5〜4.5meVを達成し、以下の新成果を得た。(1)Pd(110)表面上のC_2H_4の分子状π結合吸着状態(90K)とCCH中間体の生成(300K)。(2)Pd(110)(1×2)-Cs構造へのH_2吸着による新表面相c(2×4)-Cs/Hの生成とその解析。(3)Si(100)(2×1)、90〜300K、におけるHCOOHの部分解離(HCOO+H)、これでのH原子入射によるメチレンヂオレート(H_2CO_2)の生成。(4)Si(100)(2×1)上のNH_3部分解離(NH_2+H)およびNOの解離吸着状態(300K)。(5)時間分解EELS用電子分光装置の製作(恩地、西嶋)。2.(1)RHEEDにより液体金属(In、Sn)表面層内の密度変化と短距離秩序とを調べる目的で、鏡面反射強度の視斜角依存性と散漫錯乱とを測定した。(市川)。(2)時間文体RHEEDを用いてSi(111)7×7へのLi、K吸着による表面構造の変化を解析、Si(111)(√<3>×√<3>)-AgについてはAg3量体モデルを提出した。また、7×7表面上のSiエピタクシャル成長について5×5構造の出現とこれを介してDAS構造を解消しながらの成長とを発見した(一宮)。3.(1)LEEDデータ収集処理システムを整備した。LEEDと弾性反跳粒子検出法とによりSi(100)2×1、Si(111)7×7へのH原子吸着量の絶対測定に成功した。また、(√<3>×√<3>)-Ag構造におけるSi原子の変位置を決定した(尾浦)。(2)時間分解LEED装置を製作しSi(111)(√<3>×√<3>)-Ga構造を決定した。Si(111)-Al系の√<3>、√<7>構造、2種の不整合相およびα(7×7)構造を、また(√<3>×√<3>)R30°-In構造を解析した(河津)。4.単色化陽電子ビームの強度を高め、かつDC化時間の延長を目的としてビームラインの一部のAI化、モデレータの照射劣化の回復条件の確認、陽電子ビーム強度の絶対測定(〜50pA)などを実施した。今後、強度の向上、DC化、輝度強化などの改良を加え、次年度には陽電子ビームによる表面研究を開始する予定である(伊藤)。