高分解能電子分光・電子回折など電子・陽電子プローグによる表面研究
高分解能電子分光・電子回折など電子・陽電子プローグによる表面研究
批准号:
62609005
负责人:
恩地 勝
金额:
$8.96万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1987
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1987 至 1989
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1.試作した新型高分解能電子エネルギー損失分光(HREELS)装置の調製を行ない7meV電子ビームについて分解能7〜4meV, 直接入射モードでの検出器電流9pAを得た. さらに高分解能と時間分解をめざして検討中である.2.併行して既設のHREELSによる吸着状態の解析を行ない, 以下の新知見を得た. (1)90KのNi(110)表面でのN2の分子状化学吸着状態, (2)(N_2+N)混合吸着による300Kでの2種のN2分子状吸着状態, (3)Ph(110)の90〜300Kでの表面振動共鳴(17meV)の存在. (4)Si(111)表面上のHCOOH,NH_3の吸着状態. (5)Si(100)c(4×2), (2×1)表面におけるC2H2,C2H4の分子状化学吸着状態(di-の結合, 〜sp^3再混成)(恩地, 西嶋).3.反射高速電子回析(RHEED)によりGe(111)表面上の液体Sn層を調べ液体Snは下地の方位に依存する短距離秩序を示すことを見出した(市川). またSi(111)表面構造の温度変化とLi吸着による変化をRHEED強度のロッキング曲線の解析により調べ高温での(7×7)→(1×1)構造相転移に伴う構造変化とLi吸着加熱後の構造変化との類似性に関する新知見を得た(一宮).4.低速電子回析(LEED)グループでは, まずLEED強度データ収集システム, 制御プログラムおよびLEED解析プログラムを整備し, また, LEED解析を支援する目的でイオン散乱法によりAg/Si(111)系でのSi原子変位の大きさを決定した(尾浦). さらにLEEDのI-V曲線測定装置の設計・製作を行ない, Si(111)-√3×√3-Ga構造について実験結果と動力学的計算とを比較し, よい一致を示す構造モデルを見出した(河津).5.陽電子グループは日本原子力研のライナックを用いた低速陽電子ビームラインを建設中であり, すでに主要設備の基本的動作を確認し, 現在, ビームの高強度化と安定性の増大に向けて努力中である(藤原).
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Y.Yoshinobu: J.Chem,Phys.87. 7332-7340 (1987)
Y.Yoshinobu:J.Chem,Phys.87。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Sumitomo: Nucl.Instr.Methods B. 29. (1988)
K.Sumitomo:Nucl.Instr.Methods B.29.(1988)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Ichikawa: Solid State Commun.63. 1173-1177 (1987)
T.Ichikawa:固态通讯.63。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
A.Ichimiya: Surface Sci.191. L765-L771 (1987)
A.Ichimiya:表面科学.191。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
高分解能電子分光・電子回析など電子・陽電子プローブによる表面研究
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批准号:63609007
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$14.08万
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财政年份:1987
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负责人:恩地 勝
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依托单位:
角度分解電子分光による単結晶清浄表面と気体分子との相互作用の研究
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批准号:X00070----443002
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
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资助金额:$11.78万
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财政年份:1979
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负责人:恩地 勝
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依托单位:
化合物半導体表面における表面反応の研究
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批准号:X00040----220318
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1977
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负责人:恩地 勝
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依托单位:
化合物半導体表面における表面反応の研究
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批准号:X00040----121119
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1976
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负责人:恩地 勝
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依托单位:
化合物半導体表面における表面反応の研究
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批准号:X00040----021814
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1975
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负责人:恩地 勝
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依托单位:
LEED-AES法による触媒反応素過程の研究
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批准号:X00080----847006
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$3.14万
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财政年份:1973
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负责人:恩地 勝
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依托单位:
海外基金