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新物質相としての固体表面の理論

固体表面作为新材料相的理论

基本信息

批准号：
63609008
负责人：
吉森昭夫
金额：
$ 7.68万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1988
资助国家：
日本
起止时间：
1988 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度の研究活動は大きく分けると二つになる。第一は特定の表面系に対してその構造、物性を研究してその物理を引き出そうとするもので、第二は表面統計力学、動的過程の一般論である。第一のグループに属するものとして、電子構造の計算がある。局所密度汎関数法、スラブ模型を用いてのSi(100)2×1K、Si(100)2×1.p(2×2)、c(4×2)(塚田)、更にジェリウム表面及びAl(100)表面上のアルカリ金属原子吸着層(寺倉)、Si(111)√<3>×┣D83┫8M(M=Agその他の金属)(永吉),Si(111)2×1(山口)、そしてSi(111)5×5DAS模型及び関連した簡単化模型に対するもの(吉森)などが挙げられる。またクラスター模型を用いてのLCAO-MO、Hartree-Fock-Roothaan法によるCu上のCOとKの共吸着の問題(甲木)もこのカテゴリーに属する。アルカリ吸着Si(100)表面の問題点は実験的に提出されているもので、アルカリ金属の吸着位置に関するものである。理論の結果もこれに対してはなお決定的ではない。Si(111)再構成表面DAS模型に対しては表面状態についてのある程度の見通しが得られた。金属表面吸着のアルカリ金属原子の結合電子状態についてはなお精力的な解析の努力が続けられている。第二のグループに属するものとしては統計力学的なアプローチを取るものとして、Ge(111)、Si(111)表面再構成の相転移の基底状態の厳密な解析と有限温度出の性質、特に短距離秩序を調べるための計算機実験(金森)、Pt(111)表面吸着NOの熱脱離(興地)、Si(100)再構成表面の相転移に対する計算機実験(吉森)、関連した電子状態、特に表面状態に対する考察(中山)、電子論的なアプローチとして、運動する吸着原子の摩擦係数(エネルギー緩和時間)の厳密な計算(興地)金属表面での励起原子ビームの動的電子過程(吉森)、Auget中性化過程の高次摂動項(吉森)等が挙げられ、それぞれ興味ある結果及び展望を得ている。

This year's research activities are divided into two parts. The first is the study of structure and physical properties of specific surface systems, and the second is the general theory of surface statistical mechanics and dynamic processes. First, the calculation of electronic structure. The local density function method, DAS-model, and correlation simplified model were used to compare Si(100)2× 1K, Si(100)2×1.p(2×2), C(4×2)(Tsukata), Si(111)√ <3>× D83 × 8M (M=Ag or other metals)(Nagoyoshi), Si (111)2×1(Yamaguchi),Si (111)5× 5 DAS model, and correlation simplified model. LCAO-MO and Hartree-Fock-Roothaan methods are used to solve the problem of CO and K co-adsorption on Cu. Problems with the adsorption of Alcali on the Si(100) surface have been raised in practice, but the adsorption position of Alcali metal is also related. The theory and the result are opposite and the decision is opposite. Si(111) reconstructs the DAS model of the surface, and the degree of surface state is obvious. The adsorption of metal atoms on metal surfaces and the binding electronic state of metal atoms have been studied. The second part of this paper is about the calculation of the phase shift of Pt (111) and Si(111) surfaces. The phase shift of Ge(111) and Si(111) surfaces is analyzed closely. The finite temperature properties of Ge(111) and Si(111) surfaces are calculated by computer. The thermal desorption of Pt(111) and Si(100) surfaces is calculated by computer. Investigation of electron state, special surface state, electronic theory, calculation of friction coefficient of adsorption atom (relaxation time), electronic process of excitation atom motion on metal surface, Auget neutralization process, etc.