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「表面新物質相」の総括評価

“新面材相”综合评价

基本信息

批准号：
62609006
负责人：
吉森昭夫
金额：
$ 1.92万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1987
资助国家：
日本
起止时间：
1987 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度の重点領域研究全般にわたる研究活動としては, 領域全般にわたる研究会(8月3日4日開催の公募研究を含めた全体の計画を検討するためのもの及び1月25日26日開催の同様に公募研究を含めた報告のための研究会)と特定の幾つかの主題についてのワークショップ, そして計画全般についての議論をするための責任者の集まりが挙げられる. 全般的にみて, 新表面検定法, 新物質相表面創製, 理論の三分野で, 順調に研究が進行しているといえる, 本年度は予算規模において計画研究と同程度の公募研究を加えることになったので, 研究の展開はかなり多彩なものとなった. 以下にテーマの幾つかを取り上げて説明する. 新表面検定法では光電子顕微鏡については満足できる形で設計が完了し, 高分解能電子エネルギー損失分光については3.5meVの分解能を得ることができ, 新物質相表面創製では超低エネルギーイオンビームを用いて, 新しいタイプの非平衡吸着表面を得ることに成功し, またニッケル(100)表面につくられた下地と非整合な構造を持つ反応製性面, 半導体表面での表面エレクトロマイグレションによる表面系の創製, 理論ではアルカリ原子吸着系の統計力学と電子構造の広範かつ集中的な研究, 特に吸着アルカリ原子の電子構造の物理的描像を変える可能性のある提案, などを挙げることが出来る, また表面系の研究に欠くことの出来ない電子線回析の解析のプログラムのライブラリー化についても反射高エネルギー電子線回析については二つの方式についてライブラリーを作ることが出来た. 以上の研究活動について極めて有効であったのはワークショップの活用で, 開催したものは, 電子線回析の解析プログラムのライブラリー化, 表面エレクトロマイグレーション, アルカリ吸着系, 及びシリコン(111)表面吸着銀√3×√3構造の四つであった. この銀吸着シリコン表面系の構造決定についてはワークショップにより著しい進展がみられた.

This year's focus areas of research, general research activities, field of general research meetings (On August 3, 4, the public offering research meeting was held, including the review of all plans, and on January 25, 26, the public offering research meeting was held, including the report). General purpose, new surface characterization method, new material phase surface creation, theory of three fields, alignment research is carried out, this year's estimated scale of research is planned, the same degree of public offering research is added, research is carried out, colorful. The following is a description of the following. A new surface characterization method for photoelectron micromirrors has been developed, with high decomposition energy electron generation loss spectroscopy at 3.5 meV and decomposition energy at 3.5 meV. A new material phase surface has been successfully created, with ultra-low decomposition energy loss spectroscopy at 3.5 meV and new non-equilibrium adsorption surfaces at 3.5 meV. A proposal for the creation of surface systems on semiconductor surfaces, theoretical studies on statistical mechanics and electronic structure of adsorbed atoms, and the possibility of physical imaging of adsorbed atoms. The study of the surface system is not complete, the analysis of the electron line analysis is not complete, the reflection is high, the electron line analysis is not complete, and the method of the surface system is not complete. The above research activities include the use of the reverse solution, the opening of the catalyst, the analysis of the electron beam, the surface of the surface, the adsorption system, and the adsorption of silver on the surface (111). The structure of the silver adsorption surface system determines the progress of the silver adsorption surface system.