プラズマCVDにおけるラジカルの空間分布と輸送の制御

等离子体 CVD 中自由基空间分布和传输的控制

基本信息

  • 批准号:
    63632009
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 8.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1988
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1988 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

反応性プラズマを用いた電子材料薄膜の化学気相堆積(CVD)において、プラズマ中の中性やイオン性ラジカルの密度の空間分布や、その勾配から決まる基板表面への輸送量を系統的に評価し、それらを最適化するための制御法を確立することが本研究の最終目標である。そのため本年度では、まず、ラジカル計測法の開発を主とした以下の研究を実施した。測定対象としては。炭素系薄膜の作製に広く用いられているメタンガスプラズマを選んで実験を行った。1.二極型RF放電CVD装置において、発光分光法を用いてH、CHなどの発光ラジカルの空間分布と時間変化を測定し、生成過程に反映される電子のエネルギーや密度などのプラズマパラメータの空間・時間変動の様子を調べた。また、レーザ誘起蛍光法(LIF)によって、基底状態(非発光)CHラジカルの密度の絶対値とその空間分布、さらに基板への輸送量をRF電力やガス圧などの外部パラメータの関数として系統的に測定した。2.CH_2やCH_3などの多原子分子の非発光ラジカルの計測のために、四重極質量分析計にしきい値イオン化法を用いた方法を開発した。この方法の原理は以前から知られているが、放電プラズマに適用するためには多くの解決すべき問題点があった。また、密度の絶対値を求める方法も考案し、10^9cm^3程度の高感度測定も可能にした。この方法によって、メタンプラズマ中のCH_3の絶対密度測定を行うとともに、アフターグローにおける消滅速度を観測し、その主要な損失機構が再結合によるエタン形成であることを明らかにした。現在、CH_2についても同様の測定を進めているが、CH_3とは異なる興味深い結果が得られつつある。3.一方、細い溝状の構造を持った基板表面の膜堆積による被覆形状をモンテカルロ法によってシミュレーションすることによって、輸送されてきたラジカルの基板表面での付着確率を評価する方法も開発した。
在使用反应性等离子体的电子材料薄膜的化学蒸气沉积(CVD)中,这项研究的最终目标是系统地评估血浆中中性和离子自由基密度的空间分布,以及通过梯度确定的底物表面传输量,并建立控制方法以优化它们。因此,今年,我们首先进行了以下研究,主要集中于开发根治性测量方法。作为测量目标。实验是通过选择甲烷气体等离子体进行的,甲烷气体等离子体广泛用于碳薄膜的制造。 1。在两极RF放电CVD设备中,使用发射光谱法测量了发光自由基(例如H和CH)的空间分布和时间变化,并研究了等离子参数的空间和时间变化,例如电子和密度在生成过程中反射的电子和密度等。此外,使用激光诱导的荧光(LIF)系统测量基态密度(非发光)CH自由基的密度(非亮发)的绝对值,其运输量是RF功率和气体压力等外部参数的函数。 2。为了测量多原子分子(例如CH_2和CH_3)的非发光自由基,在四极杆质谱仪中开发了使用阈值电离的方法。该方法的原理已经知道了一段时间,但是为了将其应用于排放等离子,需要解决许多问题。我们还设计了一种确定密度绝对值的方法,使得在10^9cm^3左右高度敏感的测量是可能的。该方法用于测量甲烷等离子体中CH_3的绝对密度,并观察余辉处的消失率,表明主要损失机理是通过重组的乙烷形成。当前,正在针对CH_2进行类似的测量,但是正在获得与CH_3不同的有趣结果。 3。另一方面,我们还开发了一种方法,通过模拟使用蒙特卡洛方法的薄凹槽状结构模拟膜沉积在底物表面上的涂层来评估底物表面上运输自由基的粘附可能性。

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Toyoda: Appl. Phys. Lett.54. (1989)
H.Toyoda:应用。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Sugai: Japan.J.Appl.Phys.28. (1989)
H.Sugai:Japan.J.Appl.Phys.28。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Sugai: Appl.Phys.Lett.54. (1989)
H.Sugai:Appl.Phys.Lett.54。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
A.Yuuki: Japan.J.Appl.Phys.28. 212-218 (1989)
A.Yuuki:Japan.J.Appl.Phys.28。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Tachibana: Pure & Appl.Chem.60. 769-780 (1988)
K.Tachibana:Pure & Appl.Chem.60 (1988)。
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