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Single photon generation from Er atomic-layer doped semiconductors with micro-cavity structures
具有微腔结构的铒原子层掺杂半导体的单光子产生
基本信息
- 批准号：15K18035
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（6）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
レーザ照射によるGaInNAs混晶半導体の発光効率への影響
激光照射对GaInNAs混晶半导体发光效率的影响
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：米倉 成一;高宮 健吾;八木 修平;上田 修;矢口 裕之
- 通讯作者：矢口 裕之
ErドープGaAsからの発光のMBE成長温度依存性
Er 掺杂 GaAs 发射的 MBE 生长温度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：五十嵐大輔;高宮健吾;八木修平;伊藤隆;秋山英文;矢口裕之
- 通讯作者：矢口裕之
GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
GaAs MBE 生长中 Er 原子表面偏析的温度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：金 日国;高宮 健吾;八木 修平;土方 泰斗;矢口 裕之
- 通讯作者：矢口 裕之
AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡を有するErδドープGaAsの発光特性
AlAs/GaAs分布布拉格反射器Erδ掺杂GaAs的发射特性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：須藤 真樹;金 日国;高宮 健吾;八木 修平;矢口 裕之
- 通讯作者：矢口 裕之
ErドープGaAsからの発光に対する低温成長の影響
低温生长对掺铒 GaAs 发射的影响
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：飯村 啓泰;金 日国;高宮 健吾;八木 修平;矢口 裕之
- 通讯作者：矢口 裕之
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TAKAMIYA Kengo其他文献
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