A new growth technique of Silicon ingot to improve in crystal quality and yield ratio by the aid of artificially controlled defects
借助人为控制缺陷提高晶体质量和成品率的硅锭新生长技术
基本信息
- 批准号:15K21072
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(16)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
SMART (Seed Manipulation for ARtificiallycontrolled defects Technique)法による新規モノライクシリコンの結晶成長
使用 SMART(人工控制缺陷种子操作技术)方法生长新型单晶硅晶体
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高橋勲;岩田大将;宇佐美徳隆
- 通讯作者:宇佐美徳隆
Dependence of Grain Boundary Structure Controlled by Artificially Designed Seeds on Dislocation Generation
人工设计的晶种控制的晶界结构对位错产生的依赖性
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Iwata;I.Takahashi;and N.Usami
- 通讯作者:and N.Usami
“Seed Manipulation for ARtificially controlled defects Technique (SMART)
“种子操纵人工控制缺陷技术(SMART)
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Isao Takahashi;Iwata Taisho;Supawan Joonwichien;Noritaka Usami
- 通讯作者:Noritaka Usami
欠陥マニピュレーションに向けた結晶Siの粒界構造と転位発生の関係
缺陷控制中晶界结构与晶硅位错产生的关系
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:岩田大将;高橋勲;宇佐美 徳隆
- 通讯作者:宇佐美 徳隆
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Takahashi Isao其他文献
シンポジウム『農と子どもと心理学』話題提供「地方での暮らしと子育て」
“农业、儿童与心理学”研讨会主题:“农村生活与养育孩子”
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Iwaki Nobuyoshi;Tomisawa Mizuki;Suzumori Reika;Kikuchi Akira;Takahashi Isao;Tanaka Saeko;Yamamoto Susumu;Yuko Hashimoto and Yuichi Toda;安永 悟;肥後克己・岡本尚子・孫怡・妹尾麻美・神崎真実・川本静香・中田友貴・矢藤優子・安田裕子・サトウタツヤ・鈴木華子;橋本祐子・戸田有一;菅野幸恵 - 通讯作者:
菅野幸恵
Bulk Single-Crystal Growth of Ce/Gd3(Al,Ga)5O12 from Melt without a Precious Metal Crucible by Pulling from a Cold Container
无需贵金属坩埚,通过从冷容器中拉制熔体来生长 Ce/Gd3(Al,Ga)5O12 的块状单晶
- DOI:
10.1021/acs.cgd.2c00951 - 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Yoshikawa Akira;Kochurikhin Vladimir;Yoshino Masao;Murakami Rikito;Tomida Taketoshi;Takahashi Isao;Horiai Takahiko;Kamada Kei;Shoji Yasuhiro;S. Hiroki;Kucerkova Romana;B. Alena;Nikl Martin - 通讯作者:
Nikl Martin
子の語りに現れる家族外コミュニティの位置づけ:”二十歳になるまで”を振り返って子どもが語る育ちの場
儿童叙事中出现的家庭之外的社区地位:孩子们谈论成长、回顾“直到20岁”的地方
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Iwaki Nobuyoshi;Tomisawa Mizuki;Suzumori Reika;Kikuchi Akira;Takahashi Isao;Tanaka Saeko;Yamamoto Susumu;Yuko Hashimoto and Yuichi Toda;安永 悟;肥後克己・岡本尚子・孫怡・妹尾麻美・神崎真実・川本静香・中田友貴・矢藤優子・安田裕子・サトウタツヤ・鈴木華子;橋本祐子・戸田有一;菅野幸恵;岩木信喜・冨田詩織・田中紗英子・髙橋 功;亀井美弥子・岡本依子・菅野幸恵・東海林麗香 - 通讯作者:
亀井美弥子・岡本依子・菅野幸恵・東海林麗香
Is perceiving another’s error detrimental to learning from corrective feedback?
察觉他人的错误对于从纠正反馈中学习是痛苦的吗?
- DOI:
10.1080/23311908.2020.1717052 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Iwaki Nobuyoshi;Tomisawa Mizuki;Suzumori Reika;Kikuchi Akira;Takahashi Isao;Tanaka Saeko;Yamamoto Susumu - 通讯作者:
Yamamoto Susumu
Development of children’s fairness judgments on distribution of positive and negative resources: Allocation patterns across two kinds of distribution
儿童对正负资源分配的公平判断的发展:两种分配的分配模式
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Iwaki Nobuyoshi;Tomisawa Mizuki;Suzumori Reika;Kikuchi Akira;Takahashi Isao;Tanaka Saeko;Yamamoto Susumu;Yuko Hashimoto and Yuichi Toda - 通讯作者:
Yuko Hashimoto and Yuichi Toda
Takahashi Isao的其他文献
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{{ truncateString('Takahashi Isao', 18)}}的其他基金
Ultraslow relaxation and hidden phase transition behavior of ultrathin glassy polymers.
超薄玻璃态聚合物的超慢弛豫和隐藏相变行为。
- 批准号:
17K05617 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
Elucidation of dislocation generation mechanism from seed boundaries in mono-like Si crystals
阐明单晶硅晶体籽晶边界位错产生机制
- 批准号:
25706018 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
太陽電池用シリコン基板中の欠陥発生メカニズムに関する研究
太阳能电池硅基板缺陷产生机理研究
- 批准号:
12J09881 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Study of carbon impurities in bulk multicrystalline silicon
大块多晶硅中碳杂质的研究
- 批准号:
23760004 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
A novel way of preparation of high quality substrate material for highly efficient solar cells
一种制备高效太阳能电池高质量衬底材料的新方法
- 批准号:
22760005 - 财政年份:2010
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Investigation of crystal growth mechanisms of Si crystals floating on Si melt and development of crystal growth technique to realize high-quality Si multicrystals
研究硅熔体上漂浮硅晶体的晶体生长机制并开发晶体生长技术以实现高质量硅多晶
- 批准号:
20226001 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)