A new growth technique of Silicon ingot to improve in crystal quality and yield ratio by the aid of artificially controlled defects
A new growth technique of Silicon ingot to improve in crystal quality and yield ratio by the aid of artificially controlled defects
借助人为控制缺陷提高晶体质量和成品率的硅锭新生长技术
批准号：
15K21072
负责人：
Takahashi Isao
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
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モノライクインゴットの新規製造技術：SMART法
新型单体铸锭制造技术：SMART 方法
新型单体铸锭制造技术：SMART 方法
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高橋勲, 宇佐美徳隆]
通讯作者：
宇佐美徳隆
Dependence of Grain Boundary Structure Controlled by Artificially Designed Seeds on Dislocation Generation
人工设计的晶种控制的晶界结构对位错产生的依赖性
人工设计的晶种控制的晶界结构对位错产生的依赖性
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T.Iwata, I.Takahashi, and N.Usami]
通讯作者：
and N.Usami
SMART (Seed Manipulation for ARtificiallycontrolled defects Technique)法による新規モノライクシリコンの結晶成長
使用 SMART（人工控制缺陷种子操作技术）方法生长新型单晶硅晶体
使用 SMART（人工控制缺陷种子操作技术）方法生长新型单晶硅晶体
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高橋勲, 岩田大将, 宇佐美徳隆]
通讯作者：
宇佐美徳隆
機能性欠陥層を用いた太陽電池用結晶シリコンの不純物制御
使用功能缺陷层控制太阳能电池晶体硅中的杂质
使用功能缺陷层控制太阳能电池晶体硅中的杂质
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[羽山優介, 高橋勲, 宇佐美 徳隆]
通讯作者：
宇佐美 徳隆
欠陥マニピュレーションに向けた結晶Siの粒界構造と転位発生の関係
缺陷控制中晶界结构与晶硅位错产生的关系
缺陷控制中晶界结构与晶硅位错产生的关系
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岩田大将, 高橋勲, 宇佐美 徳隆]
通讯作者：
宇佐美 徳隆
共 15 条
Ultraslow relaxation and hidden phase transition behavior of ultrathin glassy polymers.
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批准号：17K05617
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2017
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负责人：Takahashi Isao
-
依托单位：
海外基金